さきがけ研究者

小林 正治
東京大学
生産技術研究所
准教授
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研究概要

本研究では超低電圧動作トランジスタとして強誘電性HfO₂薄膜用いた負性容量トランジスタ（NCFET）のデバイス設計・材料開発と、世界初の動作実証を目的とします。デバイス設計では物理ベースのシミュレータを構築します。材料開発では、強誘電性HfO₂薄膜のプロセス技術を開発します。デバイス試作では強誘電性HfO₂薄膜をCMOSプロセス技術へ導入し、さらにナノワイヤチャネルへの展開を図ります。