さきがけ研究者

長田　貴弘

物質・材料研究機構
国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
グループリーダー
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研究概要

本研究は、誘電率４０以上のフッ化物高誘電体極薄膜材料（フッ化物Ｈｉｇｈ－ｋ）を創出し、ＭＯＳ構造でＳｉＯ２換算等価膜厚０．５ｎｍ以下、低リーク素子の実現を目指します。フッ化物Ｈｉｇｈ－ｋは、一種の材料で多様な次世代チャネル材料（Ｇｅ、ＩｎＧａＡｓなど）と界面反応層が無い直接接合形成の可能性が有り、これまでに無いユニバーサルな高機能Ｈｉｇｈ－ｋ材料としてＩＴ機器の消費電力の劇的な低減が期待できます。