- JST トップ
- /
- 戦略的創造研究推進事業
- /
さきがけ
- /
- 評価・報告書/
- 領域事後評価/
- 平成29年度終了研究領域の事後評価について/
- 素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成
本研究領域は、材料・電子デバイス・システム最適化の研究を連携・融合することにより、情報処理エネルギー効率の劇的な向上や新機能の実現を可能にする研究開発を進め、真に実用化しイノベーションにつなげる道筋を示していくことを目指している。
具体的な研究分野としては、新機能材料デバイス、炭素系や複合材料・単原子層材料など新規半導体や新規絶縁物を利用した素子、量子効果デバイス、低リークデバイス、新構造論理素子、新記憶素子、パワーマネージメント向け素子、物理世界インターフェイス新電子デバイス、非ブール代数処理素子などのナノエレクトロニクス材料や素子が考えられているが、これらに限定することなく、新規機能性材料や新材料・新原理・新構造デバイスの追求を進めている。一方、これらを真のイノベーションにつなげるためには、アプリケーションやシステム、アーキテクチャ、回路技術などがシナジーを持って連携あるいは融合する必要があり、そのために、実用化を見据えることによる素材技術やデバイス技術の選別や方向性の最適化を積極的に推進している。
「素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成」複合領域中間評価報告書
◎宮﨑 誠一 名古屋大学大学院工学研究科 教授・副研究科長
尾辻 泰一 東北大学電気通信研究所 教授
夛田 博一 大阪大学大学院基礎工学研究科 教授
中村 志保 東芝リサーチ・コンサルティング(株) フェロー
野本 和正 ソニー(株)R&Dプラットフォームデバイス&マテリアル研究開発本部
チーフUIデバイスリサーチャー・主幹技師
◎は委員長