１．研究領域の概要

　本研究領域は、CMOSに代表される既存のシリコンデバイスを超える革新的な次世代デバイスを創成することを目標として、環境やエネルギー消費に配慮しつつ高速・大容量かつ高度な情報処理・情報蓄積・情報伝達を可能とする新しい材料の開拓およびプロセスの開発を図る挑戦的な研究を対象とした。具体的には、高移動度ワイドギャップ半導体材料、スピントロニクス材料、高温超伝導体を含む強相関系材料、量子ドット材料、ナノカーボン材料、有機半導体材料などが挙げられるが、これらに限らず、将来のデバイス化を見据えた新しい材料または構造及びプロセスの開拓に向けた独創的な研究を実施した。

２．さきがけ研究領域追跡評価

２－１．評価報告書

「革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス」追跡評価報告書

２－２．評価委員

◎北岡 良雄　大阪大学データビリティフロンティア機構　特任教授/大阪大学　名誉教授
　浅野 種正　九州大学日本・エジプト科学技術連携センター　特任教授
　為近 恵美　横浜国立大学成長戦略教育研究センター　教授
　納富 雅也　日本電信電話(株)物性科学基礎研究所　上席特別研究員/東京工業大学理学院　教授
　吉田 博　　東京大学大学院工学系研究科・スピントロ二クス学術連携研究教育センター　上席研究員/大阪大学　名誉教授
◎は委員長

２－３．追跡評価用資料

「革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス」追跡評価用資料