研究代表者

宮田 耕充

東京都立大学 大学院
理学研究科
准教授

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研究概要

本研究では、異なる原子層物質が「面内で接合した原子層ヘテロ構造」に着目し、接合部に生じる「一次元界面」を利用した超低消費電力・三次元集積デバイスの実現に向けた学理と技術を構築します。特に、遷移金属ダイカルコゲナイド原子層を中心に、成長位置・結晶方位が完全制御されたヘテロ構造の集積プロセスの確立、界面電子状態の解明と制御、そしてトンネル電界効果トランジスタ等の光・電子デバイスの実証を目指します。