素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成

１．研究領域の概要

　本研究領域は、材料・電子デバイス・システム最適化の研究を連携・融合することにより、情報処理エネルギー効率の劇的な向上や新機能の実現を可能にする研究開発を進め、真に実用化しイノベーションにつなげる道筋を示していくことを目指します。
　本研究領域で目標とするような、桁違いの情報処理エネルギー効率の向上と新機能提供の達成には、単に微細化技術の進展だけに頼るのではなく、革新的基盤技術を創成することが必要です。これらは、インターネットや情報端末などをより高性能化し充実してゆくのに必須であるとともに、センサやアクチュエータなどを多用して物理世界と一層の係わりをもった新しいアプリケーションやサービスを創出するのにも役立ちます。
　具体的な研究分野としては、新機能材料デバイス、炭素系や複合材料・単原子層材料など新規半導体や新規絶縁物を利用した素子、量子効果デバイス、低リークデバイス、新構造論理素子、新記憶素子、パワーマネージメント向け素子、物理世界インターフェイス新電子デバイス、非ブール代数処理素子などのナノエレクトロニクス材料や素子が考えられていますが、これらに限定することなく、新規機能性材料や新材料・新原理・新構造デバイスの追求を進めていきます。一方、これらを真のイノベーションにつなげるためには、アプリケーションやシステム、アーキテクチャ、回路技術などがシナジーを持って連携あるいは融合する必要があります。そのために、実用化を見据えることによる、素材技術やデバイス技術の選別や方向性の最適化を積極的に推進します。
　このような領域横断的な科学技術の強化ならびに加速によって、革新的情報デバイス基盤技術の創成を目指します。

２．事後評価の概要

２－１．評価の目的、方法、評価項目及び基準

　戦略的創造研究推進事業・CRESTにおける事後評価の目的、方法、評価項目及び基準に沿って実施した。

２－２．評価対象研究代表者及び研究課題

2014年度採択研究課題

（１）浅野種正（九州大学大学院システム情報科学研究院　特任教授）
異種機能コデザインによるテラヘルツ帯ビデオイメージングデバイスの開発

（２）橋本昌宜（大阪大学大学院情報科学研究科　教授）
ビアスイッチの実現によるアルゴリズム・処理機構融合型コンピューティングの創出

（３）益一哉（東京工業大学　学長）
ナノ慣性計測デバイス・システム技術とその応用展開

2013年度採択研究課題（1年追加課題）

（１）高木信一（東京大学大学院工学系研究科　教授）
極低消費電力集積回路のためのトンネルMOSFETテクノロジーの構築

２－３．事後評価会の実施時期

2019年11月29日（金曜日）2014年度採択研究課題
2019年2月21日（金曜日）2013年度採択研究課題（1年追加課題）

２－４．評価者

研究総括

桜井貴康

東京大学　名誉教授

副研究総括

横山直樹	（株）富士通研究所　名誉フェロー

領域アドバイザー

石内秀美	キオクシア（株）技術改革推進部　嘱託
井上淳樹	（株）富士通研究所コンピュータシステム研究所　特任研究員
河村誠一郎	科学技術振興機構研究開発戦略センター　フェロー・エキスパート
清水徹	東洋大学情報連携学部　教授
高柳万里子	東芝デバイス＆ストレージ（株）新領域企画推進部　部長
田原修一	技術研究組合光電子融合基盤技術研究所　専務理事
知京豊裕	物質・材料研究機構統合型材料開発・情報基盤部門（MaDIS）情報統合型物質・材料研究拠点（Mi2i）　副拠点長
津田建二	国際技術ジャーナリスト
中込儀延	元ルネサスエレクトロニクス（株）　技師長
西村正	元（株）ルネサステクノロジ　取締役
久本大	（株）日立製作所研究開発グループ　主管研究長