戦略的創造研究推進事業(CREST)における令和2年度追跡評価結果について

戦略的創造研究推進事業(CREST)における令和2年度追跡評価結果について

戦略的創造研究推進事業(CREST)における追跡評価を実施したので報告する。なお、この評価は「戦略的創造研究推進事業(社会技術研究開発及び先端的低炭素化開発を除く。)の実施に関する規則」に基づき実施したものである。

1.対象研究領域

下記の3研究領域である。

(研究期間:平成19~26年度)
・ディペンダブルVLSIシステムの基盤技術
研究総括: 浅井 彰二郎((株)リガク 取締役社長)
・次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究
研究総括:渡辺 久恒((株)EUVL基盤開発センター 相談役)
・精神・神経疾患の分子病態理解に基づく診断・治療へ向けた新技術の創出
研究総括: 樋口 輝彦(国立精神・神経医療研究センター 理事長)

2.追跡評価の進め方

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3.主な評価項目

・研究成果の発展状況や活用状況 
・研究成果から生み出された科学技術や社会・経済への波及効果

4.評価委員及び評価報告書

・「ディペンダブルVLSIシステムの基盤技術」
・「次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究」
・「精神・神経疾患の分子病態理解に基づく診断・治療へ向けた新技術の創出」

5.参考

 「戦略的創造研究推進事業(社会技術研究開発及び先端的低炭素化開発を除く。)の実施に関する規則」抜粋

◎本件についてのお問い合せは、下記までご連絡ください。

戦略研究推進部 研究評価グループ
(電話 03-3512-3523)