- JST トップ
- /
- 戦略的創造研究推進事業
- /
- CREST
- /
- 評価・報告書/
- 追跡評価・調査/
- 戦略的創造研究推進事業(CREST)における令和2年度追跡評価結果について/
- 次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究
本研究領域は、半導体ロードマップ戦略に基づく技術進化の飽和を超越することを目的として、微細化パラダイムのみでは実現できない機能・性能を持つ、革新的且つ実用化可能なエレクトロニクスデバイスを創製するための材料・構造の開発及びプロセス開発を行う研究を対象とした。具体的には、新しい原理により消費電力の増大、製造コストの巨額化といった実用上の問題を解決するための高集積情報処理デバイス、有機物を含め異種材料や技術の融合により新機能・高性能を発揮するデバイス、及びそれらを可能にするプロセス研究、 また従来にない斬新なアプリケーションを切り拓く研究等を実施した。
「次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究」追跡評価報告書
◎北岡 良雄 大阪大学データビリティフロンティア機構 特任教授/大阪大学 名誉教授
浅野 種正 九州大学日本・エジプト科学技術連携センター 特任教授
為近 恵美 横浜国立大学成長戦略教育研究センター 教授
納富 雅也 日本電信電話(株)物性科学基礎研究所 上席特別研究員/東京工業大学理学院 教授
吉田 博 東京大学大学院工学系研究科・スピントロ二クス学術連携研究教育センター 上席研究員/大阪大学 名誉教授
◎は委員長