１．研究領域の概要

　本研究領域は、半導体ロードマップ戦略に基づく技術進化の飽和を超越することを目的として、微細化パラダイムのみでは実現できない機能・性能を持つ、革新的且つ実用化可能なエレクトロニクスデバイスを 創製するための材料・構造の開発及びプロセス開発を行う研究を対象とする。
　具体的には、新しい原理により消費電力の増大、製造コストの巨額化といった実用上の問題を解決するための高集積情報処理デバイス、有機物を含め異種材料や技術の融合により新機能・高性能を発揮するデバイス、及びそれらを可能にするプロセス研究、また従来にない斬新なアプリケーションを切り拓く研究等が含まれる。
　本研究領域では、材料・プロセスの特性・機構解明に留まらず、実用技術に発展することが十分見込まれる研究を推進する。

２．中間評価の概要

２－１．評価の目的、方法、評価項目及び基準

　戦略的創造研究推進事業・CRESTにおける中間評価の目的、方法、評価項目及び基準に沿って実施した。

２－２．評価対象研究代表者及び研究課題

平成２１年度採択研究課題

（１）岡田　晋（筑波大学数理物質系　准教授）
計算科学によるグラファイト系材料の基礎物性解明とそのデバイス応用における設計（65KB）

（２）神谷　庄司（名古屋工業大学大学院工学研究科　教授）
高密度多層配線・三次元積層構造における局所的機械強度の計測手法の開発（73KB）

（３）木村　崇（九州大学稲盛フロンティア研究センター　教授）
電荷レス・スピン流の三次元注入技術を用いた超高速スピンデバイスの開発（71KB）

（４）長谷川　剛（（独）物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点　主任研究者）
３端子型原子移動不揮発性デバイス「アトムトランジスター」の開発（73KB）

（５）森　伸也（大阪大学大学院工学研究科　准教授）
原子論から始まる統合シミュレータの開発（62KB）

（６）湯浅　新治（（独）産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター　センター長）
革新的プロセスによる金属／機能性酸化物複合デバイスの開発（69KB）

２－３．中間評価会の実施時期

　平成２４年１０月１９日（金）

２－４．評価者