研究領域「次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究」中間評価(課題評価)結果

1.研究領域の概要

 本研究領域は、半導体ロードマップ戦略に基づく技術進化の飽和を超越することを目的として、微細化パラダイムのみでは実現できない機能・性能を持つ、革新的且つ実用化可能なエレクトロニクスデバイスを 創製するための材料・構造の開発及びプロセス開発を行う研究を対象とする。
 具体的には、新しい原理により消費電力の増大、製造コストの巨額化といった実用上の問題を解決するための高集積情報処理デバイス、有機物を含め異種材料や技術の融合により新機能・高性能を発揮するデバイス、及びそれらを可能にするプロセス研究、また従来にない斬新なアプリケーションを切り拓く研究等が含まれる。
 本研究領域では、材料・プロセスの特性・機構解明に留まらず、実用技術に発展することが十分見込まれる研究を推進する。

2.中間評価の概要

2-1.評価の目的、方法、評価項目及び基準

 戦略的創造研究推進事業・CRESTにおける中間評価の目的、方法、評価項目及び基準に沿って実施した。

2-2.評価対象研究代表者及び研究課題

平成21年度採択研究課題

(1)岡田 晋(筑波大学数理物質系 准教授)
計算科学によるグラファイト系材料の基礎物性解明とそのデバイス応用における設計(65KB)

(2)神谷 庄司(名古屋工業大学大学院工学研究科 教授)
高密度多層配線・三次元積層構造における局所的機械強度の計測手法の開発(73KB)

(3)木村 崇(九州大学稲盛フロンティア研究センター 教授)
電荷レス・スピン流の三次元注入技術を用いた超高速スピンデバイスの開発(71KB)

(4)長谷川 剛((独)物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 主任研究者)
3端子型原子移動不揮発性デバイス「アトムトランジスター」の開発(73KB)

(5)森 伸也(大阪大学大学院工学研究科 准教授)
原子論から始まる統合シミュレータの開発(62KB)

(6)湯浅 新治((独)産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター センター長)
革新的プロセスによる金属/機能性酸化物複合デバイスの開発(69KB)

2-3.中間評価会の実施時期

 平成24年10月19日(金)

2-4.評価者

研究総括

渡辺 久恒
(株)EUVL基盤開発センター 代表取締役社長

領域アドバイザー

石原 宏
東京工業大学 名誉教授
大野 英男
東北大学 電気通信研究所 教授
財満 鎭明
名古屋大学 大学院工学研究科 教授
高木 信一
東京大学 大学院工学研究科 教授
前口 賢二
東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 顧問
百瀬 寿代
株式会社東芝 デバイスプロセス開発センター 主務
和田 敏美
技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構(FUPET) 専務理事
外部評価者
 該当者なし

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