研究代表者

若林 整

東京工業大学
工学院
教授

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研究概要

二次元原子層状構造をもつ遷移金属ダイカルコゲナイドのうち、硫化半導体をチャネルとする相補型MISトランジスタについて、清浄度・制御性が高い先端LSIプロセス(スパッタやMOCVD法)により高性能化し、プロセス物性とデバイス動作理論を体系化します。高速・低電力性に加えて透明・柔軟性を活かして、人との親和性を高めた高性能ディスプレイや人体パッチ等の応用を探索します。