１．研究領域の概要

　本研究領域で目標とするような桁違いの情報処理エネルギー効率の向上と新機能提供の達成には、単に微細化技術の進展だけに頼るのではなく、革新的基盤技術を創成することが必要である。これらは、インターネットや情報端末などをより高性能化し充実していくのに必須であるとともに、センサやアクチュエータなどを多用して物理世界と一層の係わりをもった新しいアプリケーションやサービスを創出するのにも役立つ。具体的な研究分野としては、新機能材料デバイス、炭素系や複合材料・単原子層材料など新規半導体や新規絶縁物を利用した素子、量子効果デバイス、低リークデバイス、新構造論理素子、新記憶素子、パワーマネージメント向け素子、物理世界インターフェイス新電子デバイス、非ブール代数処理素子などのナノエレクトロニクス材料や素子が考えられるが、これらに限定することなく、新規機能性材料や新材料・新原理・新構造デバイスの追求を進めた。

２．CREST・さきがけ複合領域事後評価

２－１．評価報告書

「素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成」複合領域事後評価報告書

２－２．評価委員

◎宮﨑 誠一　　名古屋大学大学院工学研究科　教授・シンクロトロン光研究センター長
　末岡 和久　　北海道大学大学院情報科学研究院　教授
　野本 和正　　ソニー（株）R&Dセンター　上級主幹研究員
　湯田坂 雅子　産業技術総合研究所 材料・化学領域　客員研究員
◎は委員長

２－３．研究領域評価用資料

「素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成」複合領域事後評価用資料

研究総括プレゼンテーション資料