１．研究領域の概要

　本研究領域は、材料・電子デバイス・システム最適化の研究を連携・融合することにより、情報処理エネルギー効率の劇的な向上や新機能の実現を可能にする研究開発を進め、真に実用化しイノベーションにつなげる道筋を示していくことを目指します。
　本研究領域で目標とするような、桁違いの情報処理エネルギー効率の向上と新機能提供の達成には、単に微細化技術の進展だけに頼るのではなく、革新的基盤技術を創成することが必要です。これらは、インターネットや情報端末などをより高性能化し充実してゆくのに必須であるとともに、センサやアクチュエータなどを多用して物理世界と一層の係わりをもった新しいアプリケーションやサービスを創出するのにも役立ちます。 具体的な研究分野としては、新機能材料デバイス、炭素系や複合材料・単原子層材料など新規半導体や新規絶縁物を利用した素子、量子効果デバイス、低リークデバイス、新構造論理素子、新記憶素子、パワーマネージメント向け素子、物理世界インターフェイス新電子デバイス、非ブール代数処理素子などのナノエレクトロニクス材料や素子が考えられていますが、これらに限定することなく、新規機能性材料や新材料・新原理・新構造デバイスの追求を進めていきます。一方、これらを真のイノベーションにつなげるためには、アプリケーションやシステム、アーキテクチャ、回路技術などがシナジーを持って連携あるいは融合する必要があります。そのために、実用化を見据えることによる、素材技術やデバイス技術の選別や方向性の最適化を積極的に推進します。
　このような領域横断的な科学技術の強化ならびに加速によって、革新的情報デバイス基盤技術の創成を目指します。

２．中間評価の概要

２－１．評価の目的、方法、評価項目及び基準

戦略的創造研究推進事業・CRESTにおける中間評価の目的、方法、評価項目及び基準に沿って実施した。

２－２．評価対象研究代表者及び研究課題

平成２５年度採択研究課題

（１）内田　建 （慶應義塾大学　理工学部　教授）

極細電荷チャネルとナノ熱管理工学による極小エネルギー・多機能センサ プラットフォームの創製

（２）高木　信一 （東京大学　大学院工学系研究科　教授）

極低消費電力集積回路のためのトンネルＭＯＳＦＥＴテクノロジーの構築

（３）波多野　睦子 （東京工業大学　工学院　教授）

炭素系ナノエレクトロニクスに基づく革新的な生体磁気計測システムの創出

２－３．中間評価会の実施時期

平成２８年１０月１７日（月曜日）

２－４．評価者

研究総括

副研究総括

領域アドバイザー

外部評価者

※所属および役職は評価時点のものです。