Revolutionary important technology in the program

WHAT’S NEW

2018.3.15　公開成果報告会

ImPACT佐橋プログラム   未来を拓く 公開総括成果報告会のご報告

・開催日時：2019年3月4日(月)
・会場：国立研究開発法人科学技術振興機構　東京本部別館 (1階ホール＋2階会議室2A)
・結果報告：https://www.jst.go.jp/impact/sahashi/results-briefing/generalization/jp_report.html　

2019.2.19　プレスリリース

スピントロニクス集積回路技術を用いて、高性能（動作周波数２００ＭＨｚ）と超低消費電力（平均電力５０μＷ以下）を両立する不揮発マイコンを世界で初めて実証

https://www.jst.go.jp/pr/announce/20190219/index.html

2018.12.18　成果報告会

ImPACT佐橋プログラム   未来を拓く 公開総括成果報告会のご案内

・開催日時：2019年3月4日(月)
・会場：国立研究開発法人科学技術振興機構　東京本部別館 (1階ホール＋2階会議室2A)
https://www.jst.go.jp/impact/sahashi/results-briefing/generalization/index.html　

2018.12.7　プレスリリース

磁気のない金属からナノ薄膜磁石を作ることに成功　～超高集積不揮発性磁気メモリーを実現するための材料開発に新しい視点～

https://www.jst.go.jp/pr/announce/20181207/index.html

2018.12.3　プレスリリース

熱による高速・高効率な磁極制御 ～ＭＲＡＭとＡＩハードウェアの低消費電力化の実現へ向けて～

https://www.jst.go.jp/pr/announce/20181203-2/index.html

2018.10.12　プレスリリース

クロム酸化物反強磁性体薄膜の微弱磁化を自在に制御する技術を開発 ～従来不可能だった数ナノメートル厚の反強磁性スピンの電圧反転も視野に～

https://www.jst.go.jp/pr/announce/20181012-2/index.html

2018.8.8　公開成果報告会

ImPACT佐橋プログラム 公開成果報告会のご報告

・開催日時：2018年6月29日(金)
・会場：東京国際フォーラム
・結果報告：https://www.jst.go.jp/impact/sahashi/results-briefing/jp_report.html　

2018.2.14　PRESS RELEASE

磁気トンネル接合素子、未踏の一桁ナノメートル領域で動作実現 ～超大容量・低消費電力・高性能不揮発性メモリの実現に道筋～　

https://www.jst.go.jp/pr/announce/20180214/index.html　

2017.12.1　PRESS RELEASE

高効率な電圧スピン制御を実現する新材料を開発　～超省電力な電圧トルクMRAMの実用化に前進～　

https://www.jst.go.jp/pr/announce/20171201/index.html　

2017.10.16　SYMPOSIUM

REPORT :「The 3rd ImPACT International Symposium on Spintronic Memory, Circuit and Storage」

・DATE : SEPTEMBER 23-25, 2017
・VENUE : Qator Science Campus Hall, Aobayama Campus, Tohoku University
https://www.jst.go.jp/impact/sahashi/report/3rd_en_report.html　

2017.7.12　PRESS RELEASE

電圧書込み方式不揮発性メモリーの書込みエラー率を飛躍的に低減 ～超低消費電力な電圧書込み型MRAMの開発を加速～

https://www.jst.go.jp/pr/announce/20170712-2/index.html　

産業技術総合研究所HP
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20170712/pr20170712.html

2017.6.23　PRESS RELEASE

原子の形を変えて超省エネ磁気メモリ ～大型放射光施設SPring-8で電圧磁気効果の新原理解明～

https://www.jst.go.jp/pr/announce/20170623/index.html

Nature Communications HP
Voltage controlled interfacial magnetism through platinum orbits
https://www.nature.com/articles/ncomms15848
大阪大学HP
http://resou.osaka-u.ac.jp/ja/research/2017/20170623_1
東北大学HP
http://www.tohoku.ac.jp/japanese/2017/06/press20170623-02.html
産業技術総合研究所HP
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20170626/pr20170626.html
SPring-8 HP
http://www.spring8.or.jp/ja/news_publications/press_release/2017/170623/

2017.6.5　NEWS

東北大学 佐橋政司教授と野崎友大准教授「反強磁性スピンの反転　必要電圧2ケタ減　東北大が実証」

2017年6月5日付　日刊工業新聞　17面

2017.6.1　NEWS

東北大学　佐橋政司教授「東北大など、反強磁性体スピンの反転に必要な電圧を大幅低減」

日本経済新聞に記事掲載（オンライン）
http://www.nikkei.com/article/DGXLRSP446631_R30C17A5000000/l

2017.6.1　PRESS RELEASE

反強磁性体スピンの反転に必要な電圧を大幅低減 ～交換結合ヘテロ構造電圧書き込み磁気記録デバイスに道筋～

https://www.jst.go.jp/pr/announce/20170601/index.html　

2017.6.1　SYMPOSIUM

「The 3rd ImPACT International Symposium on Spintronic Memory, Circuit and Storage」

・DATE : SEPTEMBER 23-25, 2017
・VENUE : Qator Science Campus Hall, Aobayama Campus, Tohoku University
https://www.jst.go.jp/impact/sahashi/symposium/index.html　

2017.6.1　SYMPOSIUM

The 28th Magnetic Recording Conference (TMRC 2017)

・DATE : SEPTEMBER 2-4, 2017
・VENUE : Tsukuba International Congress Center (EPOCHAL TSUKUBA)
http://www.nims.go.jp/mmu/tmrc2017.html　

2017.5.16　NEWS

産総研、MRAMの3次元積層に成功。MRAMの大容量化や生産性向上に道筋

2017年5月16日付　　PC Watch
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/1059811.html

JST HP
https://www.jst.go.jp/pr/announce/20170516-4/index.html

2017.5.16　PRESS RELEASE

不揮発性磁気メモリーMRAMの3次元積層プロセスを開発～新世代単結晶MRAM製造の可能性～

https://www.jst.go.jp/pr/announce/20170516-4/index.html　

2017.3.22　NEWS

"Spintronic Technology Advances with Newly Designed Magnetic Tunnel Junctions"　

https://publishing.aip.org/publishing/journal-highlights/spintronic-technology-advances-newly-designed-magnetic-tunnel　

2017.3.22　ACADEMIC PAPER

"MgGa2O4 spinel barrier for magnetic tunnel junctions: coherent tunneling and low barrier height"　

http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.4977946　

2017.2.28　PRESS RELEASE

不揮発性磁気メモリーMRAMのための高性能参照層を開発　～大容量MRAMの開発を加速～　

https://www.jst.go.jp/pr/announce/20170228/index.html　

2016.12.12　NEWS

電圧駆動MRAM用の新しい書き込み方式を開発、東芝　

2016年12月12日付　日経テクノロジーオンライン
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/121205430/?ST=tomict

2016.12.07　NEWS

電圧トルクMRAM実用化へ：MRAMの書き込みエラー率、新型回路で低減

2016年12月7日付　EE Times Japan
http://eetimes.jp/ee/articles/1612/06/news029.html

2016.12.04　NEWS

IEDM 2016　東芝と産総研、電圧駆動型MRAMの「重要課題」解決に道　書き込み誤り率を1～2桁低減へ

2016年12月4日付　日経テクノロジーオンライン
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/112800090/120200006/?ST=device

2016.12.04　PRESS RELEASE

Proposal & demonstration of a new writing method for nonvolatile magnetic memory using voltage-control magnetization reversal Demonstration of major improvement in write error rate showing the possibility of the ultimate low-power memory with large-capacity

https://www.jst.go.jp/pr/announce/20161204/index.html

東芝HP（English）
http://www.toshiba.co.jp/rdc/rd/detail_e/e1612_01.html
東芝HP（Japanese）
電圧制御磁化反転を使った不揮発性磁気メモリに新たな書込み方式を提案
～究極の省電力・大容量メモリの実現を目指して、書込み確率の大幅改善を実証～
http://www.toshiba.co.jp/rdc/detail/1612_01.htm

2016.12.04　PRESS RELEASE

Development of new voltage-controlled writing method for nonvolatile solid-state magnetic memory Road to achieving ultra-low-power high-speed "voltage torque MRAM"

https://www.jst.go.jp/pr/announce/20161204-2/index.html

東芝HP（English）
http://www.toshiba.co.jp/rdc/rd/detail_e/e1612_02.html
東芝HP（Japanese）
不揮発性磁気メモリのための新たな電圧駆動書き込み方式を開発　～超低消費電力・高速メモリ「電圧トルクMRAM」の実現に道筋～
http://www.toshiba.co.jp/rdc/detail/1612_02.htm

産業技術総合研究所HP
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2016/pr20161205_2/pr20161205_2.html

2016.11.22　AWARD

第13回 江崎玲於奈賞を大野英男氏、第27回 つくば賞を宝野和博氏が受賞

【第13回 江崎玲於奈賞】
受賞者：大野英男氏　東北大学　電気通信研究所　所長，教授
授賞の対象となった研究主題：
「強磁性物質におけるスピンの電気的制御と素子応用に関する先導的研究」

【第27回 つくば賞】
受賞者：宝野和博氏　　物資・材料研究機構　フェロー
磁性・スピントロニクス材料研究拠点長
授賞の対象となった研究主題：
「ナノ構造制御による先進磁性材料の開発」
https://www.i-step.org/prize/award/

2016.10.20　NEWS

離陸前夜の混載MRAM、電圧駆動やSOTも実用へ　ImPACTがMRAMの国際シンポジウム開催

2016年10月20日付　日経エレクトロニクス、2016年11月号に記事掲載　p.20-p.21
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/mag/15/320925/101200110/?P=1

2016.09.20　PRESS RELEASE

世界最高性能の半導体系トンネル磁気抵抗素子を開発　－待機電力ゼロのトランジスタ実現へ道を拓く－

http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2016/pr20160920/pr20160920.html

2016.07.26　PRESS RELEASE

マンガン系合金ナノ薄膜を用いたMRAM記憶素子の開発に成功　～大容量の不揮発性磁気抵抗メモリ（MRAM）の開発に寄与～

https://www.jst.go.jp/pr/announce/20160726-2/index.html

2016.06.23　NEWS

東北大学 深見俊輔准教授「超省エネの磁気メモリー開発」日経産業新聞に記事掲載

2016年6月23日付　日経産業新聞　8面

2016.06.20　NEWS

東北大学 羽生貴弘教授「AI搭載ロボ支える半導体　高速処理・省電力で」日本経済新聞に記事掲載

2016年6月20日付　日本経済新聞　15面

2016.06.15　NEWS

東北大学 深見俊輔准教授と大野英男教授「消費電力1/100メモリー開発」日経産業新聞に記事掲載

2016年6月15日付　日経産業新聞　8面

2016.06.01　SYMPOSIUM

「2nd ImPACT International Symposium on Spintronic Memory, Circuit and Storage」

第2回 国際シンポジウムのご案内
・開催日時：2016年9月30日(金)
・会場：つくば国際会議場
・結果報告 (日本語)：https://www.jst.go.jp/impact/sahashi/report/
・REPORT (English)：https://www.jst.go.jp/impact/sahashi/report/english.html

2016.06.01　SYMPOSIUM

第40回 日本磁気学会学術講演会シンポジウムのご案内

S-5「Latest trends in ultra-low power consumption spintronic devices and circuits」
・開催日時：2016年9月5日(月)
・会場：金沢大学角間キャンパス
・ご案内URL： http://www.magnetics.jp/kouenkai/2016/special-lecture_sym.html

2016.04.12　AWARD

平成28年度 科学技術分野の文部科学大臣表彰において産総研が3件の科学技術賞を受賞

【研究部門】
産業技術総合研究所 スピントロニクス研究センター
湯浅 新治　研究センター長
「受賞業績：巨大トンネル磁気抵抗効果の研究」
http://www.aist.go.jp/aist_j/news/prize/pr20160412_3.html

2016.03.24　NEWS

第20回 革新的研究開発推進会議　配布資料

会議日時：平成28年3月24日 配布資料
資料1-7佐橋PMの研究開発プログラム説明資料　1（PDF形式：447KB）　2（PDF形式：636KB）
http://www8.cao.go.jp/cstp/sentan/kakushintekikenkyu/20kai/20kai.html

2016.03.22　PRESS RELEASE

新構造磁気メモリ素子を開発?スピン軌道トルク磁化反転の第３の方式の動作を実証?

https://www.jst.go.jp/pr/announce/20160322/index.html

2016.02.16　PRESS RELEASE

反強磁性体の新しい物理と応用を開拓?スピン・軌道相互作用を用いた磁化の制御に成功?

https://www.jst.go.jp/pr/announce/20160216-2/index.html

2015.12.10　PRESS RELEASE

Demonstration of Stable Operation and Write Error Rate Evaluation of Voltage-driven Non-volatile Memory

- The path to realization of “voltage torque MRAM”, a voltage-driven magnetic memory with ultra-low power consumption ?
https://www.jst.go.jp/pr/announce/20151210/index.html

産業技術総合研究所HP（English）
http://www.aist.go.jp/aist_e/list/latest_research/2016/20161109/en20161109.html
産業技術総合研究所HP（Japanese）
電圧書込み方式不揮発性メモリーの安定動作の実証と書込みエラー率評価
－超低消費電力の電圧書込み型磁気メモリー「電圧トルクMRAM」の実現に道筋－ http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2015/pr20151210/pr20151210.html

2015.10.05　PUBLIC OFFERING

課題名：「計算科学を用いた電圧スピントロニクス材料の開発(プロジェクト2)」

公募期間：　平成27年10月5日－平成27年11月4日

2015.04.09　SYMPOSIUM

「The 1st ImPACT International Symposium on Spintronic Memory, Circuit and Storage」

第1回 国際シンポジウムのご案内
・開催日時：2015年6月21日(日)- 6月22日(月)
・会場：国際交流館プラザ平成
・ご案内URL：https://www.jst.go.jp/impact/sahashi/symposium/1st/content.html

Revolutionary important technology in the program

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