Achieving Ultimate Green IT Devices with Long Usage Time without Charging

2019.3.15		ImPACT佐橋プログラム未来を拓く公開総括成果報告会のご報告
2019.2.19		スピントロニクス集積回路技術を用いて、高性能（動作周波数２００ＭＨｚ）と超低消費電力（平均電力５０μＷ以下）を両立する不揮発マイコンを世界で初めて実証
2018.12.18		ImPACT佐橋プログラム未来を拓く公開総括成果報告会のご案内・開催日時：2019年3月4日(月) ・会場：国立研究開発法人科学技術振興機構　東京本部別館 (1階ホール＋2階会議室2A)
2018.12.7		磁気のない金属からナノ薄膜磁石を作ることに成功　～超高集積不揮発性磁気メモリーを実現するための材料開発に新しい視点～
2018.12.3		熱による高速・高効率な磁極制御～ＭＲＡＭとＡＩハードウェアの低消費電力化の実現へ向けて～
2018.10.12		クロム酸化物反強磁性体薄膜の微弱磁化を自在に制御する技術を開発～従来不可能だった数ナノメートル厚の反強磁性スピンの電圧反転も視野に～

SOT-MRAM

The spin which enables data storage(memory) is controlled by the spin orbital torque (SOT).
MRAM (magnetic memory)which realizes ultra-high speed and ultra-low power consumption

Voltage-driven MRAM

The magnetic anisotropy is controlled by a voltage, thus controlling the spin direction, which enables data storage (memory). MRAM which realizes ultra-high speed and ultra-low power consumption (magnetic memory)