2026年6月1日 プレス発表 テーマ③多田課題 次世代 1nm ノード以降の半導体に向けた配線材料を開拓～新材料配線に関する 4 アプローチでポスト Cu 配線の実現に向けた指針を提示～ 慶應義塾大学プレスリリース(335KB)
