次世代エッジAI半導体研究開発事業

2026年6月1日

プレス発表

テーマ③多田課題
次世代 1nm ノード以降の半導体に向けた配線材料を開拓
～新材料配線に関する 4 アプローチでポスト Cu 配線の実現に向けた指針を提示～
慶應義塾大学プレスリリース(335KB)

2026年2月27日

お知らせ

研究開発課題の情報を公開しました

2025年12月16日

プレス発表

2025年度研究開発課題を決定しました

2025年9月2日

お知らせ

2025年度研究開発提案募集を締め切りました　ご応募ありがとうございました

2025年8月28日

お知らせ

雛形_知財運営委員会運営規則及び雛形_知財及びデータ合意書を掲載しました

2025年8月19日

お知らせ

二次採択審査　面接選考会の日程を公開しました

2025年8月8日

お知らせ

2025年度研究開発提案募集　募集説明会の動画及び資料を掲載しました

2025年8月5日

イベント

2025年度研究開発提案募集　募集説明会について

2025年8月1日

お知らせ

研究開発提案募集を開始しました

2025年8月1日

プレス発表

次世代エッジAI半導体研究開発事業における2025年度研究開発提案の募集について

新着情報一覧

2026年6月1日

プレス発表

テーマ③多田課題
次世代 1nm ノード以降の半導体に向けた配線材料を開拓
～新材料配線に関する 4 アプローチでポスト Cu 配線の実現に向けた指針を提示～
慶應義塾大学プレスリリース(335KB)

2025年12月16日

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2025年度研究開発課題を決定しました

2025年8月1日

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次世代エッジAI半導体研究開発事業における2025年度研究開発提案の募集について

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2026年2月27日

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研究開発課題の情報を公開しました

2025年度研究開発課題を決定しました

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次世代エッジAI半導体研究開発事業における2025年度研究開発提案の募集について

2025年度研究開発課題を決定しました

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2025年度研究開発提案募集を締め切りました　ご応募ありがとうございました

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研究開発提案募集について（予告）

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