次世代エレクトロニクスデバイスノ創出に資する革新材料・プロセス研究

１．研究領域の概要

本研究領域は、半導体ロードマップ戦略に基づく技術進化の飽和を超越することを目的として、微細化パラダイムのみでは実現できない機能・性能を持つ、革新的且つ実用化可能なエレクトロニクスデバイスを創製するための材料・構造の開発及びプロセス開発を行う研究を対象とします。
具体的には、新しい原理により消費電力の増大、製造コストの巨額化といった実用上の問題を解決するための高集積情報処理デバイス、有機物を含め異種材料や技術の融合により新機能・高性能を発揮するデバイス、及びそれらを可能にするプロセス研究、また従来にない斬新なアプリケーションを切り拓く研究等が含まれます。
本研究領域では、材料・プロセスの特性・機構解明に留まらず、実用技術に発展することが十分見込まれる研究を推進します。

２．事後評価の概要

２－１．評価の目的、方法、評価項目及び基準

戦略的創造研究推進事業・CRESTにおける事後評価の目的、方法、評価項目及び基準に沿って実施した。

２－２．評価対象研究代表者及び研究課題

平成19年度採択研究課題

（１）尾辻　泰一（東北大学電気通信研究所　教授）
グラフェン・オン・シリコン材料・デバイス技術の開発（171KB）

（２）佐々木　孝友（大阪大学光科学センター　特任教授）
真空紫外レーザー光発生用非線形光学結晶の開発（164KB）

平成20年度採択研究課題

（３）遠藤　哲郎（東北大学大学院工学研究科　教授）
縦型ボディーチャネルMOSFETとその集積プロセスの開発（152KB）

（４）木下　博雄（兵庫県立大学高度産業科学技術研究所　教授）
コヒーレントEUV光を用いた極微パタン構造計測技術の開発（141KB）

（５）鳥海　明（東京大学大学院工学系研究科　教授）
Ge High-k CMOS に向けた固相界面の理解と制御技術の開発（150KB）

（６）前川　禎通（（独）日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター　センター長）
数値シミュレーションによる新材料・新機能の開発（146KB）

（７）松井　真二（兵庫県立大学高度産業科学技術研究所　教授）
超高速ナノインプリントリソグラフィ技術のプロセス科学と制御技術の開発（154KB）

２－３．事後評価会の実施時期

平成２５年１１月１５日（金）

２－４．評価者

研究総括

渡辺　久恒

（株）EUVL基盤開発センター　代表取締役社長

領域アドバイザー

石原　宏	東京工業大学　名誉教授
大泊　巌	早稲田大学　名誉教授
大野　英男	東北大学　電気通信研究所　教授
財満　鎭明	名古屋大学　大学院工学研究科　教授
高木　信一	東京大学　大学院工学研究科　教授
福間　雅夫	一般社団法人　半導体産業研究所　代表理事所長
百瀬　寿代	株式会社東芝　デバイスプロセス開発センター　主務
和田　敏美	技術研究組合　次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構（FUPET）　専務理事