二次元機能性原子・分子薄膜の創製と利用に資する基盤技術の創出

1.研究領域の概要

 本研究領域は、次世代省エネルギー部素材・デバイスの構成要素としての二次元機能性原子・分子薄膜(原子・分子の二次元的構造、あるいはそれと等価な二次元的電子状態を表面・界面等に有する機能性を持った薄膜物質)に着目し、原子・分子薄膜の二次元的構造並びに有限薄膜系におけるエッジ(端)構造等の創製、新規な機能発現に関する現象の解明、新機能・新原理・新構造に基づくデバイスの創出等に資する研究開発を基礎基盤的アプローチから進めることにより、新たな価値の創造や新たな市場の創出等に繋げる道筋を示していくことを目的とします。具体的な研究分野としては、二次元機能性原子・分子薄膜の創製と利用に関する物性科学、合成化学、デバイス工学等を対象としつつ、互いの分野間が複合的に連携することで、革新的部素材・デバイスの実現に資する結晶成長技術、構造や物性の解明と制御のための計測・解析・加工プロセス技術、部素材・デバイス設計技術等の基盤を創出するとともに、基礎学理の構築に取り組みます。

2.中間評価の概要

2-1.評価の目的、方法、評価項目及び基準

戦略的創造研究推進事業・CRESTにおける中間評価の目的、方法、評価項目及び基準に沿って実施した。

2-2.評価対象研究代表者及び研究課題

2016年度採択研究課題

(1)川﨑 雅司 (東京大学 大学院工学系研究科 教授)

トポロジカル絶縁体ヘテロ接合による量子技術の基盤創成

(2)笹川 崇男 (東京工業大学 科学技術創成研究院 准教授)

トポロジカル量子計算の基盤技術構築

(3)宮田 耕充 (首都大学東京 大学院理学研究科 准教授)

原子層ヘテロ構造の完全制御成長と超低消費電力・3次元集積デバイスの創出

(4)若林 整 (東京工業大学 工学院 教授)

二次元TMDC相補型MISFETsのLSIプロセスによる性能向上と応用

2-3.中間評価会の実施時期

2019年12月26日(木曜日)

2-4.評価者

研究総括
黒部 篤 (株)東芝研究開発センター 首席技監
領域アドバイザー
榎 敏明 東京工業大学 名誉教授
久保 孝史 大阪大学 大学院理学研究科 教授
小林 俊之 ソニー(株)先端テクノロジー研究部門 リサーチャー
齋藤 理一郎 東北大学 大学院理学研究科 教授
内藤 勝之 (株)東芝 研究開発センター シニアフェロー
永野 広作 (株)カネカ エグゼクティブ・フェロー
中村 志保 キオクシア(株) メモリ技術研究所 参事
長谷川 雅考 産業技術総合研究所 ナノ材料研究部門 研究グループ長
三浦 佳子 九州大学 大学院 工学研究院 教授
横山 直樹 (株)富士通研究所 名誉フェロー
外部評価者
該当なし

※所属および役職は評価時点のものです。

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