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トピックス

2015年8月4日
イベント情報
「イノベーション・ジャパン2016/JSTフェア2016/産学パートナーシップの拡大に向けた産学経営対話」の同時開催について(8/25-26)
イノベーション・ジャパン2016 〜大学見本市&ビジネスマッチング〜
JSTフェア2016 〜科学技術による未来の産業創造展〜
産学パートナーシップの拡大に向けた産学経営対話 産学官による未来創造対話2016・産学パートナーシップ創造展
JSTフェア スーパークラスタープログラムブースにて、愛知地域および京都地域スーパークラスターの参画機関から成果展示を行います。出展内容の詳細についてはこちらから検索できます。
2016年7月12日
イベント情報
シンポジウム「産学公連携による地域発イノベーション推進の全国ネットワーク化
〜京都地域が学び、未来に伝える Good Practice 〜〈堀場 雅夫氏 半世紀の軌跡〉」の開催について(8/7)

2016年3月9日
評価・報告
中間評価報告書の公開
課題名:「先進ナノツールによるエネルギー・イノベーションクラスター」(愛知地域)
    「クリーン・低環境負荷社会を実現する高効率エネルギー利用システムの構築」(京都地域)
2015年12月7日
イベント情報
「先進パワーエレクトロニクス国際フォーラム 〜 ワイドギャップ半導体の社会実装へ向けて 〜」の開催について(12月3-4日)
200名を超える本プログラム関係者の皆様にご参加いただきました。
開催にご協力いただきまして、誠にありがとうございました。
2015年8月4日
イベント情報
「イノベーション・ジャパン2015/JSTフェア」の同時開催について(8月27-28日)
JSTフェア2015〜科学技術による未来の産業創造展〜
JSTフェアの本プログラムブースにて成果展示を行いました。
2015年7月14日
イベント情報
「JST20周年記念シンポジウム」の開催について(7/24)
第1回JST20周年記念シンポジウム「企業と大学の壁を超える新たな挑戦〜社会、産業界を牽引する人材育成を目指して〜」
2015年3月23日
評価・報告
事後評価報告書の公開 課題名:「スマートデバイス・ロボティクス融合クラスター」(福岡地域)
2014年12月10日
イベント情報
「愛知地域スーパークラスター成果報告会2014」の開催について
2014年10月8日
お知らせ
名古屋大学大学院工学研究科教授 天野浩博士がノーベル物理学賞を受賞されることに対して、心よりお喜び申し上げます。 天野先生は、本プログラムの愛知地域のスーパークラスターにおいて、「GaN 基板上GaN 系パワーデバイス開発」の研究リーダとして参画されておられます
2014年9月4日
お知らせ
革新的なレアメタル・ベースメタルの製造技術の事業化に成功
2014年8月29日
イベント情報
「京都地域スーパークラスタープログラム 長野サテライトキックオフセミナー」の開催について
2014年6月4日
イベント情報
「京都地域スーパークラスタープログラム キックオフフォーラム」の開催について
2013年11月27日
採択情報
サテライトクラスターの採択について
2013年10月04日
採択情報
コアクラスターの採択について

目的

 我が国でインパクトあるイノベーションを創出するため、これまで各地域で取り組まれてきた地域科学技術振興施策の研究成果を活かしつつ、社会ニーズ、マーケットニーズに基づき国主導で選択と集中、ベストマッチを行い、国際競争力の高い広域連携による「スーパークラスター」を形成することを目的とするプログラムです。
 中核となる「コアクラスター」が、地域の有する技術シーズやビジネスモデルなどを中心に、「サテライトクラスター」と緊密に連携しながら研究開発を行うことで、新たな市場開拓の可能性を高めるとともに、国際競争力強化及び地域活性化を実現します。

SD【戦略ディレクター】によるマネジメント

 各コアクラスターに3名のSD(戦略ディレクター)からなるSDチームを設置。
 予算配分の決定をはじめとした、強力なリーダーシップの下、明確な運営方針と市場獲得構想に基づきスーパークラスターの運営を調整。

スーパークラスター 地域を越えた連携

●広域の連携

パワーエレクトロニクス

●SiCとGaNの車載用途イメージ
●SiCパワーデバイス技術開発の背景と狙い
Si(シリコン)にかわる素材
「次世代パワー半導体」と呼ばれる、GaN(ガリウムナイトライド)やSiC(シリコンカーバイド)を使った半導体に大きな注目が集まっています。

■ SiC(シリコンカーバイド)

SiCはシリコンの半分を炭素に置き換えた材料ですが、炭素と強固な結合をつくるため、シリコンに比べて緻密で安定した結晶です。
従来のシリコンデバイスに比較し、高耐圧でありながら低損失な素子を可能とします。
⇒SiCデバイスはモーター駆動などの高耐圧・大電流用途で有利

■ GaN(ガリウムナイトライド)

GaNはSiC以上に安定した結合を有し、絶縁破壊強度がより高い材料です。
青色LED材料としても用いられています。
現在はシリコン基板上にGaN活性層を形成することが一般的です。
⇒ G aNデバイスはスイッチング電源などの小型・高周波用途で有利

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