成果等
- 2016年8月9日
- チーム１の研究成果をプレスリリースしました。
「メガソーラ向けの高効率太陽電池用シリコンインゴット単結晶の作製に新規成長法を用いて生産性の高いキャスト成長炉で成功 〜高効率太陽電池の高歩留まり製造に道を拓く〜」
主な掲載メディア
2016年9月5日 新エネルギー新聞第60号15面
2016年8月26日 電気新聞4面
2016年8月17日 日経産業新聞6面
2016年8月12日 鉄鋼新聞4面
2016年8月12日 化学工業日報1面
- 2015年11月16日
- チーム１の研究成果をプレスリリースしました。
「４枚のウェハが取れる大口径・高品質太陽電池用シリコンインゴット単結晶の作製に成功 ～太陽電池結晶の低コスト化・高効率化に道を拓く～」
主な掲載メディア
2015年12月11日 科学新聞2面
2015年11月26日 日経産業新聞8面
2015年11月24日 化学工業日報12面
2015年11月19日 電気新聞4面
2015年11月17日 福島民報2面
- 2014年8月10日
- 応用物理(応用物理学会発行) 第83巻 第8号 632ページ
“図解・学術講演会大分類 応用物性”
(リンク先のPDFファイルは28MBあるため、ご注意下さい)
G3-2 市川グループの成果が掲載されました
研究メンバーの受賞等
- 2016年
-
5月
・イノベイティブPV奨励賞
日本学術振興会 産学協力研究委員会 次世代の太陽光発電システム第175委員会
第13回「次世代の太陽光発電システム」(平成28年5月19日-20日、長岡)
阿部祐介, 李建永, 宇都俊彦, 市川満, 山本憲治, 小長井誠
Tunnel Oxide Passivated Contact太陽電池におけるドープ層製膜とライフタイムの関係
- 2015年
-
12月
・平成27年度 国際会議開催貢献賞
日本政府観光局（JNTO）
「第6回太陽光発電世界会議」 組織委員長 小長井誠11月
・Paper Award
第25回太陽光発電国際会議(PVSEC-25) (平成27年11月15-20日、韓国・釜山)
Dong-Won Kang, Porponth Sichanugrist, Makoto Konagai
Progress in a-SiOx:H Thin Film Solar Cells for Top Cell of Multi-junction System5月
・イノベイティブPV奨励賞
日本学術振興会 産学協力研究委員会 次世代の太陽光発電システム第175委員会
第12回「次世代の太陽光発電システム」(平成27年5月28日-29日、郡山)
吉葉修平，平井政和，市川幸美，小長井誠
極薄シリコンヘテロ接合セルの開発
・イノベイティブPV奨励賞
日本学術振興会 産学協力研究委員会 次世代の太陽光発電システム第175委員会
第12回「次世代の太陽光発電システム」(平成27年5月28日-29日、郡山)
兼松大二、寺川朗、田中誠、宮島晋介
量子サイズ効果応用に向けた極微細SiNWire及びSiNWall太陽電池の開発 - 2014年
-
11月
・HAMAKAWA Award
第6回太陽光発電世界会議(平成27年11月23～27日、京都)
小長井誠
・40周年記念「学会貢献賞」
日本結晶成長学会
中嶋一雄
7月
・イノベイティブPV奨励賞
日本学術振興会 産学協力研究委員会 次世代の太陽光発電システム第175委員会
第11回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (平成26年7月3-4日、宮崎)
滝口雄貴、増田悠耶、Porponth Sichanugrist、Zacharie Jehl Li Kao、中田 時夫、小長井 誠
波長スプリッティングを用いた高効率太陽電池の開発 - 2013年
-
11月
・紫綬褒章
小長井誠
5月
・イノベイティブPV奨励賞
日本学術振興会 産学協力研究委員会 次世代の太陽光発電システム第175委員会
第10回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (平成25年5月23-24日、金沢)
中田和吉、宮島晋介、小長井誠
Siヘテロ接合太陽電池用a-SiO:H薄膜のパッシベーション効果評価 - 2012年
-
12月
・研究論文賞
三洋クリーンテクノロジー財団「ソーラーエネルギー 論文コンクール2012」
中田和吉
a-SiO:Hパッシベーション膜を用いた結晶Siヘテロ接合太陽電池
9月
・フェロー表彰
応用物理学会
中嶋一雄
光デバイス用高品質半導体の結晶成長に関する研究開発6月
・イノベイティブPV奨励賞
日本学術振興会 産学協力研究委員会 次世代の太陽光発電システム第175委員会
第9回「次世代の太陽光発電システム」 シンポジウム (平成24年5月31日-6月1日、京都)
加藤慎也、渡辺裕也、黒川康良、山田明、太田最実、丹羽勇介、廣田正樹
Atomic Layer Deposition (ALD)を用いたシリコンナノワイヤアレイへのパッシベーション膜の作製
