科学技術振興機構（JST）は日仏の科学研究における協力促進を目的に、2017年12月にフランスのANR（国立研究機構）と協力枠組み合意を締結しました。この合意に基づき、CRESTの枠組みの中で、日仏研究者による日仏共同研究プロジェクトの支援を行うこととしました。

2025年度のCRESTの提案募集では、以下の２研究領域で通常の研究提案に加えて、日仏共同研究グループによる共同研究提案を募集します。

[ナノ物質半導体]　ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術（CREST）
[予測数学基盤]　　予測・制御のための数理科学的基盤の創出（CREST）

CRESTにおける選考では、日仏共同研究提案と通常の研究提案とを分けずに審査します。どちらか一方が有利になることはありません。採択後も通常のCREST課題と同様に研究を推進します。
応募にあたっては、JST（CREST）の研究提案募集開始時に公開される募集要項^※をご覧ください。
※ANR連携公募専用の募集要項はありません。
※準備が整い次第、上記領域における「募集・選考・研究領域運営にあたっての総括方針」を公開します。

応募・選考の流れ

1. 日仏の研究代表者で１つの共同研究提案書（英語、CREST-ANR共通書式）を作成する。
   
   [ナノ物質半導体]　ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術（CREST）
   [予測数学基盤]　　予測・制御のための数理科学的基盤の創出（CREST）
   　・共通提案書 様式[word]
2. 仏側研究代表者がANRへ提案を申請する。
   • ANR申請受付期間：2025年3月3日（月）～6月2日（月）10:00 CEST
   • 申請方法等の詳細は、ANRの募集ホームページをご覧ください。
3. 日本側研究代表者がJST（CREST）へ提案を申請する
   • 詳細はJST（CREST）の研究提案募集開始時に公開される募集要項をご参照ください。通常のCREST提案募集期間中にe-Radを通じて申請してください。
   • ご応募の際は、e-Rad「応募情報ファイル」の項目にて、フランスANRに提出された日仏共同提案書と同一の提案書をアップロード頂きますようお願いいたします。
4. ANRとJSTが各々提案の審査を行った後、両機関で協議の上採択を決定。
5. 研究開始＜2025年10月以降＞

日仏共同研究提案に関わる留意事項

• JST、ANR両機関に申請されることが審査の要件となります。必ず両機関に申請をしてください。
• 研究代表者は日仏共同提案と通常のCRESTの提案の両方を申請することはできません。
• CRESTへの応募の際に、ANRに提出した日仏共同研究提案の内容を変更することはできません。
• PDF に変換した研究提案書の容量は、3MB以内を目途としてください。10MBを超えた場合、e-Rad上での受付が不可能となります。
• その他の留意事項は、日仏共同研究提案に関するQ&Aおよび補足資料をご参照ください。

重要

JSTでは、競争的資金による公募型事業につきまして、2015年度新規提案募集より、「申請する研究者等は所属機関において研究倫理教育の講習を修了していること」を申請条件と致しましたのでご注意ください。
詳細は「研究倫理教育に関するプログラムの受講について」ページをご覧下さい。

JST研究倫理ホームページ