研究開発課題の概要

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研究代表者

藤岡 洋

（東京大学 生産技術研究所　教授）

1984年 東京大学工学部工業化学科 卒業
1984年 富士通株式会社入社
1995年 カリフォルニア大バークレー校博士課程 修了（Ph.D.取得）
1995年 カリフォルニア大バークレー校 研究員
1996年 東京大学 助手
1998年 東京大学 講師
1999年 東京大学 助教授
2004年 東京大学 生産技術研究所 教授

プログラムマネージャー

碓井　彰

（科学技術振興機構　ACCELプログラムマネージャー）

1970年 東北大学工学部化学工学科 卒業
1970年 日本電気株式会社入社
1993年 日本電気株式会社基礎研究所担当部長
1997年 工学博士取得
2002年 古河機械金属株式会社入社
2006年 古河機械金属株式会社研究開発本部長
2010年 古河機械金属株式会社上級執行役員
2015年 古河機械金属株式会社顧問
2016年 ACCELプログラムマネージャー

研究開発概要

ＣＲＥＳＴでは、ＰＳＤ^注１）とよばれるスパッタ法を基礎とする独自の薄膜成長技術を開発し、高品質窒化物半導体（ＧａＮなど１３族元素と窒素の化合物）の低温形成を実現するとともに、この手法を用いて、従来技術では実現できなかった良好な結晶性を持つＩｎＧａＮ多層膜構造を形成し、赤、青、緑の三原色ＬＥＤの試作に成功しました。
ＡＣＣＥＬではこれまでの成果をベースに、安価なスパッタ法で良質な薄膜の低温形成が可能という本技術の特徴を生かして、低コスト／フレキシブル基板上へ高品質ＧａＮ系結晶を実現し、ＧａＮ系ＬＥＤと駆動用トランジスターによるディスプレー動作実証を行い電子・光集積化デバイスを目指します。

注１）ＰＳＤ（Ｐｕｌｓｅｄ　Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
原料を間欠的に供給することによって、低温でも品質の高い結晶を得るスパッタリング成長法の一種。

＜目指すビジョンの図＞