nanotech2025に出展します。
JST保有のナノ材料・ナノデバイスに関する厳選技術を紹介します。
知的財産マネジメント推進部は、ライセンスによる技術移転を見据えて2025年1月29日（水）～31日（金）に東京ビッグサイトで開催される「第24回 国際ナノテクノロジー総合展・技術会議（nanotech2025）」に出展します。JSTが保有する特許等の中から、ナノ材料・ナノデバイスに関連する厳選した技術を紹介します。
今回は、HfO2系強誘電体および酸化物半導体を用いた次世代メモリデバイス技術、COFをホストとした蓄熱材、金属錯体を使った水和型イオン伝導材料、ナノワイヤ水素ガスセンサの技術に関する展示を行います。
なお、展示会開催と並行して、オンライン展示も行います（2025年2月28日（金）まで）。併せてご覧ください。
皆様のお役に立つ技術があれば幸いです。皆様とお目にかかる機会を心より楽しみにしております。
■ nanotech2025出展概要
- 【会期】
- 2025年1月29日（水）～31日（金）
- 【会場】
- 東京ビッグサイト 東ホール（JSTのブースは東4ホール、小間番号は4P-11です。）
- 【公式WEBサイト】
- https://www.nanotechexpo.jp/
- 【ビジネスマッチングシステム】
- nanotech2025では事前商談アポイントのためのマッチングシステム(特許第5843841号)が用いられております。
本システムは、事前に出展者および来場者が基本情報を登録し、目的に合った交渉相手を検索の上、面談を申し込むことができるシステムです。
■ 出展技術のご紹介
| 整理番号 | 技術の名称 | 代表発明者・所属 | 技術の概要 | 国際公開番号 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 「HfO2系強誘電体および酸化物半導体を用いた次世代メモリデバイス技術 ～高速・低消費電力・高信頼性不揮発性メモリ・三次元ニューラルネットワーク～」 | 小林 正治 （東京大学） |
①三次元積層型強誘電体メモリの特性の向上ため，酸化物半導体のチャネルの最適構造を見出した．➁酸化物半導体チャネル強誘電体メモリでの弱消去問題を解消するため，反強誘電体の半ループ特性を活用する方法を発明した．③酸化物半導体チャネルトランジスタによる抵抗変化型メモリアレイを構成し三次元積層・チップ間接続することで三次元ニューラルネットワークを形成し，積和演算を高エネルギー効率で演算する方法を発明した． | |
| 2 | COFをホストとした蓄熱材 ～COF単結晶の製造方法～ | 村上 陽一 （東京科学大学） |
1.COF成長溶液に核生成制御剤としてイオン液体を添加することで、前例の無い大サイズ(≧200µm) のCOF単結晶を成長 2.COF単結晶の中に糖アルコール（マンニトール等）を含侵させ、擬固体で過冷却フリーの新蓄熱材を創出した |
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| 3 | 「多原子イオンの高速輸送を実現！ 金属錯体を使った水和型イオン伝導材料」 | 吉成 信人 （大阪大学） |
多原子イオンである水和カリウムイオンがイオン伝導種となる新しい金属錯体系室温超イオン伝導体（K-NCIS）を開発した。一般にイオン伝導体は低温域ほど伝導度が低下し、室温以下で大きな伝導度を示す多原子イオン伝導体は見いだされていなかった。 K-NCISは–35℃で超イオン伝導体に匹敵する優れたイオン伝導度を有することが示された。 この材料は水系全固体二次電池、熱電変換材料、化学反応場等に応用可能である。 |
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| 4 | ナノワイヤ水素ガスセンサ ～金属と酸化物半導体の２種類のナノワイヤ～ | 真島 豊 （東京工業大学） |
[Pdナノワイヤガスセンサ]
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※ご関心がある方は是非下記お問い合わせ先までご連絡ください。
〒102-8666 東京都千代田区四番町５－３ サイエンスプラザ
科学技術振興機構
知的財産マネジメント推進部 知財集約・活用グループ
TEL：03-5214-8486 FAX：03-5214-8417 E-mail:
※お問い合わせの内容によっては、回答に時間を要する場合があります。
