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| 大谷 啓太 （おおたにけいた） |
| （東北大学 電気通信研究所 助手） |
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| 1994年3月 |
東北大学工学部電子工学科卒業 |
| 1994年4月 |
東北大学大学院工学研究科博士課程前期電子工学専攻入学 |
| 1996年3月 |
東北大学大学院工学研究科博士課程前期電子工学専攻修了 |
| 1996年4月 |
東北大学大学院工学研究科博士課程後期電子工学専攻入学 |
| 1999年3月 |
東北大学大学院工学研究科博士課程後期電子工学専攻修了
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| 1999年4月 |
東北大学電気通信研究所中核的機関研究員 |
| 1999年10月 |
日本学術振興会研究員 |
| 2001年4月 |
東北大学電気通信研究所助手 |
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| 1996年〜 |
化合物半導体量子構造サブバンド間光学遷移における研究 |
| 1999年〜 |
ナロウギャップ半導体量子カスケードレーザーに関する研究 |
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| [1] |
K. Ohtani and H. Ohno, "InAs/AlSb quantum cascade lasers operating at 10mm", Appl. Phys. Lett. Vol. 82, No. 7, pp.1003-1005, 2003.
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| [2] |
K. Ohtani, H. Sakuma, and H. Ohno, "InAs-based quantum cascade light emitting structures containing a double plasmon waveguide", J. Crystal. Growth. Vol. 251, No. 1-4, pp.718-722, 2003.
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| [3] |
K. Ohtani, N. Matsumoto, H. Sakuma, and H. Ohno, "Intersubband absorption in n-doped InAs/AlSb multiple-quantum-well structures", Appl. Phys. Lett. Vol. 82, No. 1, pp.37-39, 2003.
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| [4] |
K. Ohtani and H. Ohno, "An InAs-based intersubband quantum cascade laser", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 41, No. 11B, pp.L1279-L1280, 2002.
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| [5] |
K. Ohtani and H. Ohno, "Intersubband electroluminescence from InAs-based quantum cascade structures", Proceedings of the 10th International Conference on Narrow Gap Semiconductors and Related Small Energy Phenomena, Physics and Applications (IPAP Conference series 2), pp.561-562, 2001.
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| [6] |
K. Ohtani, H. Sakuma, and H. Ohno, "Emission wavelength control by potential notch in type-II InAs/GaSb/AlSb intersubband light emitting structures", Appl. Phys. Lett. Vol. 78, No. 26, pp.4148-4150, 2001.
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| [7] |
H. Ohno, D. Chiba, F. Matsukura, T. Omiya, E. Abe, T. Dietl, Y. Ohno, K. Ohtani, "Electric-field control of ferromagnetism", Nature, Vol. 408, No. 6815, pp.944 - 946, 2000.
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| [8] |
K. Ohtani, A. Sato, Y. Ohno, F. Matsukura, and H. Ohno, "Influence of interface bonds and buffer materials on optical properties of InAs/AlSb quantum wells grown on GaAs substrates", Applied Surface Science, Vol. 159-160, pp.313-316, 2000.
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| [9] |
K. Ohtani, H. Sakuma, and H. Ohno, "Cascading effect in type-II InAs/GaSb/AlSb intersubband light emitter", Proceedings of the 25th International Conference on the physics of semiconductors, Part I, pp.721-722, 2000.
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| [10] |
Y. Ohno, I. Arata, F. Matsukura, K. Ohtani, S. Wang, and H. Ohno, "MBE growth and electroluminescence of ferromagnetic/non-magnetic semiconductor pn junctions based on (Ga, Mn)As", Applied Surface Science, Vol. 159-160, pp.308-310, 2000.
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| [11] |
K. Ohtani, and H. Ohno, "Mid-infrared intersubband electroluminescence in InAs/GaSb/AlSb type-II cascade structures", Physica E, Vol. 7, No. 1-2, pp.80-82, 2000.
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| [12] |
大谷啓太、大野英男、"タイプII InAs/GaSb/AlSbヘテロ構造量子井戸サブバンド間の電流注入発光"、固体物理、Vol. 34、pp.699-702, 1999.
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| [13] |
K. Ohtani and H.Ohno, "Mid-infrared intersubband electroluminescence in InAs/AlSb cascade structures", Electronics Letters, Vo. 35, No. 11, pp.935-936, 1999.
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| [14] |
A. Sato, K. Ohtani, R. Terauchi, Y. Ohno, F. Matsukura, and H. Ohno, "X-ray diffraction study of InAs/AlSb interface bonds grown by molecular beam epitaxy", J. Crystal. Growth. Vol. 201-202, pp.861-863, 1999.
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| [15] |
K. Ohtani and H. Ohno, "Intersubband electroluminescence in InAs/GaSb/AlSb type-II cascade structures", Appl. Phys. Lett. Vol. 74, No. 10, pp.1409-1411, 1999.
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| [16] |
N. Akiba, F. Matsukura, Y. Ohno, A. Shen, K. Ohtani, H. Ohno, T. Sakon, and M. Motokawa, "Transverse magnetic field studies of resonant tunneling structure using ferromagnetic (Ga, Mn)As", Physica B, Vol. 256-258, pp.561-563, 1998.
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| [17] |
H. Ohno, N. Akiba, F. Matsukura, A. Shen, K. Ohtani, and Y. Ohno, "Spontaneous splitting of ferromagnetic (Ga, Mn)As valence band observed by resonant tunneling spectroscopy", Appl. Phys. Lett. Vol. 73, No. 3, pp.363-365, 1998.
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| [18] |
K. Ohtani, Y. Ohno, F. Matsukura, and H. Ohno, "Well width dependence of bound to quasi-bound intersubband transition in GaAs quantum well with multi-quantum barrier", Physica E, Vol. 2, No. 1-4, pp.200-202, 1998.
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| [19] |
Mathur, Y. Ohno, F. Matsukura, K. Ohtani, N. Akiba, T. Kuroiwa, H. Nakajima, and H. Ohno, "Electric field dependence of intersubband transitions in GaAs/AlGaAs single quantum wells", Applied Surface Science, Vol. 113-114, pp. 90-92, 199.
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| 【特許リスト】 |
| 1） |
"Intersubband light emitting element", H. Ohno and K. Ohtani, US patent 6,476,411 |
| 2） |
"サブバンド間発光素子"、大野英男、大谷啓太、特許3,412,007 |
| 3） |
"スピンフィルタ"、大野英男、大谷啓太、特開2003-152173 |
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| 【招待講演】 |
| 1） |
K. Ohtani and H. Ohno, "Type-II InAs-based quantum cascade lasers", The 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2003), Tokyo (Japan), September16-18, 2003 |
| 2） |
K. Ohtani and H. Ohno, "InAs/AlSb quantum cascade lasers", The 7th International Conference on Intersubband Transitions in Qauntum Wells (ITQW03), Evolene (Switzerland), September 1-5, 2003. |
| 3） |
K. Ohtani and H. Ohno, "Intersubband electroluminescence from InAs-based quantum cascade structures", The 10th International Conference on Narrow Gap Semiconductors and Related Small Energy Phenomena, Physics and Applications (NGS10), Kanazawa (Japan), May 27-31, 2001. |
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※「1期生」 ＝ 平成13年度採用研究者 2001年〜2004年
※「2期生」 ＝ 平成14年度採用研究者 2002年〜2005年
※「3期生」 ＝ 平成15年度採用研究者 2003年〜2006年
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