末益 崇 生年：1967年 出身都道府県：山口県

学歴

1991年3月	東京工業大学 工学部電気電子工学科　卒業
1993年3月	東京工業大学大学院 理工学研究科電気電子工学専攻修士課程修了
1996年3月	東京工業大学大学院 理工学研究科電気電子工学専攻博士課程修了

職歴

1993年4月～ 1996年3月	日本学術振興会特別研究員
1996年4月	筑波大学助手 講師を経て、2003年8月より助教授
2007年4月	筑波大学准教授
2010年4月	筑波大学教授

研究歴

1993年～1996年	分子線エピタキシー法による金属/絶縁体積層構造の結晶成長と共鳴トンネルトランジスタの作製
1996年～	分子線エピタキシー法による半導体鉄シリサイドの結晶成長と赤外発光デバイスの作製 2000年8月、鉄シリサイドを用いたSiベース1.5?m帯発光デバイスの室温動作実現 目下、シリコンベースの半導体レーザを目指して研究中
2001年～	アルカリ土類金属シリサイドBaSi2をベースとする高効率薄膜太陽電池の作製
2004年～	強磁性シリサイドの結晶成長とスピンエレクトロニクスへの応用

研究室URL
http://www.bk.tsukuba.ac.jp/~ecology/index.html

（社）応用物理学会シリサイド半導体研究会
　　　URL：http://annex.jsap.or.jp/silicides/
上記研究会の委員長を今年度から3年間ほど仰せつかっております。