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- 研究領域「次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究」平成25年度年報
岡田 晋(筑波大学数理物質系 教授) 「計算科学によるグラファイト系材料の基礎物性解明とそのデバイス応用における設計指針の開発」(PDF:188KB) |
神谷 庄司(名古屋工業大学大学院工学研究科 教授) 「高密度多層配線・三次元積層構造における局所的機械強度の計測手法の開発」(PDF:135KB) |
木村 崇(九州大学大学院理学研究院 教授) 「電荷レス・スピン流の三次元注入技術を用いた超高速スピンデバイスの開発」(PDF:142KB) |
長谷川 剛((独)物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 主任研究者) 「3端子型原子移動不揮発性デバイス「アトムトランジスター」の開発」(PDF:131KB) |
森 伸也(大阪大学大学院工学研究科 准教授) 「原子論から始まる統合シミュレータの開発」(PDF:153KB) |
湯浅 新治((独)産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター 研究センター長) 「革新的プロセスによる金属/機能性酸化物複合デバイスの開発」(PDF:141KB) |