次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究

トピックス

2014年2月12日: 第3回公開シンポジウム「半導体集積デバイスに新ジャンルを創生する」に多数ご参加いただきましてありがとうございました。
2013年12月10日: CREST森チームが「半導体デバイス性能予測シミュレーターの超高速化に成功」しました。
この成果は、国際電子デバイス会議（IEDM）で発表されました。JST・大阪大学の共同プレスリリースの詳細は以下のURLをご参照下さい。
JST・大阪大学のプレスリリース
2013年11月1日: 第3回公開シンポジウム「半導体集積デバイスに新ジャンルを創生する」のご案内を掲載しました。ウェブサイトより参加登録を受け付けております（参加無料、定員200名）。皆様のご参加を、心よりお待ち申し上げております。
2013年6月24日: CREST田川チームが「次世代の半導体製造の速度を１０倍以上にする技術を確立」しました。
この成果は、第30回国際フォトポリマーコンファレンスで発表されました。大阪大学・JSTの共同プレスリリースの詳細は以下のURLをご参照下さい。
大阪大学・JSTのプレスリリース
2013年6月23日: CREST湯浅チームが「電圧による磁化制御を高効率化?電圧駆動型の低消費電力スピントロニクス素子の開発を加速?」しました。
この成果は、Applied Physics Expressで発表されました。産総研・JSTの共同プレスリリースの詳細は以下のURLをご参照下さい。
産総研・JSTのプレスリリース
2013年6月7日: CREST大毛利チームが「独自技術の雑音プローブに開発したICを搭載し、電子デバイスの雑音特性を広帯域で計測可能に」しました。
この成果は、VLSI Symposia on Technology and Circuitsで発表されました。筑波大学・ディー・クルー・テクノロジーズ株式会社・東京工業大学の共同プレスリリースの詳細は以下のURLをご参照下さい。
筑波大学・ディー・クルー・テクノロジーズ株式会社・東京工業大学のプレスリリース
2013年2月18日: 第2回公開シンポジウム「半導体技術のパラダイム革新に挑戦」にご参加下さいましてありがとうございました。来年度も第３回目を開催予定です。どうぞご期待ください。
2012年12月10日: CREST大毛利チーム渡邉グループが「半導体デバイスの高速化・省電力化の限界は、流れる電子の数で決まる技術開発のロードマップにも影響する理論的限界を解明」しました。
この成果は、IEEE International Electron Device Meeting（IEDM）で発表されました。早稲田大学のプレスリリースの詳細は以下のURLをご参照下さい。
早稲田大学のプレスリリース
2012年12月10日: CREST菅原チームが「CMOSロジックの消費電力を大幅に削減する新しいデバイス・回路技術を確立」しました。
この成果は、IEEE International Electron Device Meeting（IEDM）で発表されました。東京工業大学のプレスリリースの詳細は以下のURLをご参照下さい。
東京工業大学のプレスリリース
2012年11月30日: CREST岡田チームが「イオン性分子を塗布してグラフェンを半導体化できることを理論的に提示」しました。
この成果は、Applied Physics Lettersで発表されました。JST、産総研、筑波大学の共同プレスリリースの詳細は以下のURLをご参照下さい。
JST・産総研・筑波大学のプレスリリース

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