スーパークラスタープログラムは、平成30年3月末をもちまして終了しました。
(事業実施期間:平成25年度〜平成29年度)
本プログラムに関するお問い合わせは以下までお願いいたします。
国立研究開発法人 科学技術振興機構(JST)
イノベーション拠点推進部 企画課
〒102-0076 東京都千代田区五番町7 K's 五番町ビル
TEL:03-6272-4602
E-mail:pf-jimu【at】jst.go.jp ※【at】を @ に変更してください。
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目的
我が国でインパクトあるイノベーションを創出するため、これまで各地域で取り組まれてきた地域科学技術振興施策の研究成果を活かしつつ、社会ニーズ、マーケットニーズに基づき国主導で選択と集中、ベストマッチを行い、国際競争力の高い広域連携による「スーパークラスター」を形成することを目的とするプログラムです。
中核となる「コアクラスター」が、地域の有する技術シーズやビジネスモデルなどを中心に、「サテライトクラスター」と緊密に連携しながら研究開発を行うことで、新たな市場開拓の可能性を高めるとともに、国際競争力強化及び地域活性化を実現します。
SD【戦略ディレクター】によるマネジメント
各コアクラスターに3名のSD(戦略ディレクター)からなるSDチームを設置。
予算配分の決定をはじめとした、強力なリーダーシップの下、明確な運営方針と市場獲得構想に基づきスーパークラスターの運営を調整。
スーパークラスター 地域を越えた連携
●広域の連携
パワーエレクトロニクス
●SiCとGaNの車載用途イメージ
●SiCパワーデバイス技術開発の背景と狙い
Si(シリコン)にかわる素材
「次世代パワー半導体」と呼ばれる、GaN(ガリウムナイトライド)やSiC(シリコンカーバイド)を使った半導体に大きな注目が集まっています。
■ SiC(シリコンカーバイド)
SiCはシリコンの半分を炭素に置き換えた材料ですが、炭素と強固な結合をつくるため、シリコンに比べて緻密で安定した結晶です。
従来のシリコンデバイスに比較し、高耐圧でありながら低損失な素子を可能とします。
⇒SiCデバイスはモーター駆動などの高耐圧・大電流用途で有利
■ GaN(ガリウムナイトライド)
GaNはSiC以上に安定した結合を有し、絶縁破壊強度がより高い材料です。
青色LED材料としても用いられています。
現在はシリコン基板上にGaN活性層を形成することが一般的です。
⇒ G aNデバイスはスイッチング電源などの小型・高周波用途で有利
評価・報告
■ 中間評価報告書
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愛知地域・京都地域(2016年3月)
■ 事後評価報告書
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福岡地域(トライアル)(2015年3月)
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愛知地域・京都地域(2018年3月)
■ 追跡調査報告書
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愛知地域・京都地域(2021年3月)
トピックス