提案を募集する研究領域
研究領域の基本情報
ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術[ナノ物質半導体]
研究総括
齋藤 理一郎東北大学 名誉教授
戦略目標
新たな半導体デバイス構造に向けた低次元マテリアルの活用基盤技術
領域の概要
本研究領域では、令和５年度戦略目標「新たな半導体デバイス構造に向けた低次元マテリアルの活用基盤技術」に基づいて、グラフェンや遷移金属ダイカルコゲナイド物質に代表される2次元物質やナノチューブ、ナノワイヤーに代表される1次元物質（以下ナノ物質）を用いた半導体デバイスを近未来に活用するための基盤技術を構築します。
ここで基盤技術とは、生産性の向上において波及効果が大きい基本原理・技術を指します。具体的には、ナノ物質を用いた半導体ウエハー・デバイス作製と動作回路の構築、ならびにナノ物質に特化したデバイスの動作原理を指します。対象はナノ物質を用いた半導体です。電界効果トランジスタ（FET）論理回路、フレキシブルデバイス、pn/ヘテロ接合素子、熱電素子、太陽電池、LED発光・受光素子、THz遠赤外素子、化学/生物物質センサー、人工筋肉、MEMSなど様々なデバイスを対象とします。素子単独だけでなく回路・システムとして総合的に構築し、実用に向け「死の谷（注：基礎研究と実用の間にある困難を象徴する言葉）にかける橋」を目指します。
システムを構築するために、研究実績のある研究者間で異分野の融合チームを組み、高度な基礎学理に基づき、ナノ物質材料の創製と提供、デバイス作製、回路構成等の成果を研究期間前半で創出し、さらにプロセス技術も含めて、将来の実用に繋がる次世代の革新的半導体基盤技術を創出します。
領域アドバイザー
（リンク先は研究領域HPとなります。）
本年度の募集スケジュール
| 募集説明会 | 4月16日(水) |
|---|---|
| 応募締め切り | 6月3日(火) 正午※厳守 |
| 書類選考会 | 7月10日(木) |
| 書類選考通過者への連絡期限 | 7月17日(木) |
| 面接選考会（オンライン） ※ 具体的な面接日時についてはJSTから指定させていただきます。あらかじめご了承ください。 |
7月25日(金) |
研究領域の募集方針
ANRとの連携公募について
本領域では、通常の研究提案に加えて、日仏共同研究グループによる共同研究提案を募集します。CRESTにおける選考では、日仏共同研究提案と通常の研究提案とを分けずに審査します。どちらか一方が有利になることはありません。採択後も通常のCREST課題と同様に研究を推進します。
応募・選考の流れ
- 日仏の研究代表者で１つの共同研究提案書（英語、CREST-ANR共通書式）を作成する。
- 仏側研究代表者がANRへ提案を申請する。
- ANR申請受付期間：2025年3月3日（月）～6月2日（月）10:00 CEST
- 申請方法等の詳細は、ANRの募集ホームページをご覧ください。
- 日本側研究代表者がJST（CREST）へ提案を申請する
- 詳細はJST（CREST）の研究提案募集開始時に公開される募集要項をご参照ください。通常のCREST提案募集期間中にe-Radを通じて申請してください。
- ご応募の際は、e-Rad「応募情報ファイル」の項目にて、フランスANRに提出された日仏共同提案書と同一の提案書をアップロード頂きますようお願いいたします。
- ANRとJSTが各々提案の審査を行った後、両機関で協議の上採択を決定。
- 研究開始＜2025年10月以降＞
日仏共同研究提案に関わる留意事項
- JST、ANR両機関に申請されることが審査の要件となります。必ず両機関に申請をしてください。
- 研究代表者は日仏共同提案と通常のCRESTの提案の両方を申請することはできません。
- CRESTへの応募の際に、ANRに提出した日仏共同研究提案の内容を変更することはできません。
- PDF に変換した研究提案書の容量は、3MB以内を目途としてください。10MBを超えた場合、e-Rad上での受付が不可能となります。
- その他の留意事項は、日仏共同研究提案に関するQ&Aおよび補足資料をご参照ください。