研究領域の基本情報

トポロジカル材料科学に基づく革新的機能を有する材料・デバイスの創出[トポロジー]

研究総括

上田 正仁東京大学 大学院理学系研究科 教授

戦略目標

トポロジカル材料科学の構築による革新的材料・デバイスの創出

(リンク先は国立国会図書館インターネット資料収集保存事業(WARP)となります。)

領域の概要

本研究領域は、将来の超スマート社会実現に資するため、連続変形に対する不変性に着目した新たな物質観であるトポロジーに着目し、新規な機能発現に関する現象の解明、新規機能・新原理・新規構造に基づいた材料・デバイスの創出に資する研究開発を基礎基盤的アプローチから推進することにより、既存の技術では実現できない革新的機能を有する材料・デバイスの創出を目的とします。
詳細は研究領域HPをご覧ください。

領域アドバイザー

アドバイザーを表示する
安藤 陽一 ケルン大学 物理学科 教授
伊藤 耕三 東京大学 大学院新領域創成科学研究科 教授
尾松 孝茂 千葉大学 大学院工学研究院 教授
川﨑 雅司 東京大学 大学院工学系研究科 教授
小磯 深幸 九州大学 マス・フォア・インダストリ研究所 教授
富永 淳二 産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門 特命上席研究員
中村 志保 キオクシア(株) メモリ技術研究所 参事
前野 悦輝 京都大学 大学院理学研究科 教授
村上 裕彦 (株)アルバック 未来技術研究所 所長・シニアフェロー
萬 伸一 理化学研究所 創発物性科学研究センター コーディネーター

本年度の募集スケジュール

応募締め切り 6月23日(火)正午※厳守
書類選考会 8月1日(土)
書類選考通過者への連絡期限 8月8日(土)
面接選考会(※)
※ 具体的な面接日時についてはJSTから指定させていただきます。あらかじめご了承ください。
8月22日(土)-8月23日(日)、8月29日(土)

研究領域の募集方針

応募方法

下記の様式をダウンロードし、e-Rad(府省共通研究開発システム)より応募を行ってください。詳細な応募方法については募集要項をご参照ください。※指定と異なる様式を用いた場合、研究提案が不受理となる可能性があります。

注意事項

研究提案者は、研究倫理教育に関するプログラムを修了していることが応募要件となります。修了していることが確認できない場合は、応募要件不備とみなしますのでご注意ください。CRESTの場合、主たる共同研究者については、申請時の受講・修了は必須とはしません。

研究提案者と研究総括との利害関係について

下記問い合わせ様式に必要事項をご記入の上、下記のメールアドレス宛てにお送りください。利害関係の該当項目について詳細は募集要項の第5章「CREST・さきがけ・ACT-X 共通事項」をご参照ください。

  • 問い合わせ様式 [word]
    E-mailアドレス: rp-info[at]jst.go.jp ※[at]を@に置き換えてください。
    件名:【利害確認】【(CREST/さきがけ/ACT-Xより1つ選択)提案先研究総括氏名】ご所属・氏名

参考資料

研究契約が締結できない場合、もしくは当該研究機関での研究が適切に実施されないと判断される場合には、当該研究機関における提案研究の実施はできません。
特に海外研究機関で研究を実施する場合には、契約書の内容に問題がないか海外研究機関の契約担当部局の責任者に事前に確認を行ってください。

面接選考対象者の方には、書類選考通過の連絡後、面接選考までに補足説明資料にご記入・ご提出をいただきます。予算計画の詳細、契約締結に関する事実確認等重要な項目を含んでおりますので、あらかじめご確認いただくことを推奨いたします。
面接時補足説明資料の標準様式を上記に示しますが、提案先研究領域によってはさらなる記入事項がある場合がございます。資料の記入にあたっての注意点や提出先・締切は、書類選考通過の連絡時にJSTから指示いたしますので、ご対応の程よろしくお願いいたします。

CRESTにおいて海外研究機関を含む研究チーム構成を希望される場合、さきがけにおいて海外研究機関で研究を実施する場合には、主に契約上の観点から、当該海外研究機関が要件を満たしていることを確認するため、「契約締結に関する事前確認様式」の提出が必要となります (研究契約の要件に海外研究機関の同意が得られない場合は、研究契約の締結およびその機関での研究実施はできません)。 「面接時補足説明資料」提出時点で事前確認様式の内容について「承諾」が得られていない場合は、面接選考会当日、あるいは採択候補となった時点において、研究実施場所の変更を含む研究計画の変更等を求めることがあります。