戦略的創造研究推進事業CRESTにおけるフランスANRとの日仏共同提案の予告について

2025年2月3日

科学技術振興機構(JST)は、戦略的創造研究推進事業CRESTの枠組みの中で2025年度の公募にて、フランスのANR(国立研究機構) と連携し、以下の2研究領域で日仏共同提案を募集します。

[ナノ物質半導体] ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術

[予測数学基盤] 予測・制御のための数理科学的基盤の創出

採択された場合、日本側グループはJST(CREST)から、仏側グループはANRから、それぞれ支援を受けます。

(留意事項)

・ 応募にあたって日仏の研究代表者は共同研究提案書(英語、CREST-ANR共通書式)を作成し、JST、ANR両機関に申請して下さい。両機関に申請されることが審査の要件となります。
・ ANRの申請受付期間はJST(CREST)とは異なりますのでご注意ください(ANRの申請受付期間は3月から6月の間を予定しています)。詳細については、準備が整い次第本ホームページ、ANRのホームページに掲載いたしますのでご確認ください。
・ 日仏共同提案と通常のCRESTの提案の両方を申請することはできませんのでご注意ください。通常のCREST提案募集についても今後本ホームページでご案内します。
・ なお、本予告は、国会における令和7年度政府予算の成立を前提として行っています。

ANRのHP
ANRでは2月中旬頃に募集HPを公開する予定です。それまで本リンクはANRのトップページ(https://anr.fr/en/)へリンクします。