科学技術振興機構（JST）は、戦略的創造研究推進事業CRESTの枠組みの中で2025年度の公募にて、フランスのANR（国立研究機構） と連携し、以下の2研究領域で日仏共同提案を募集します。

[ナノ物質半導体] ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術

[予測数学基盤] 予測・制御のための数理科学的基盤の創出

採択された場合、日本側グループはJST（CREST）から、仏側グループはANRから、それぞれ支援を受けます。

（留意事項）

・ 応募にあたって日仏の研究代表者は共同研究提案書（英語、CREST－ANR共通書式）を作成し、JST、ANR両機関に申請して下さい。両機関に申請されることが審査の要件となります。
・ ANRの申請受付期間はJST（CREST）とは異なりますのでご注意ください（ANRの申請受付期間は3月から6月の間を予定しています）。詳細については、準備が整い次第本ホームページ、ANRのホームページに掲載いたしますのでご確認ください。
・ 日仏共同提案と通常のCRESTの提案の両方を申請することはできませんのでご注意ください。通常のCREST提案募集についても今後本ホームページでご案内します。
・ なお、本予告は、国会における令和7年度政府予算の成立を前提として行っています。

ANRのHP^＊
＊ANRでは２月中旬頃に募集HPを公開する予定です。それまで本リンクはANRのトップページ（https://anr.fr/en/）へリンクします。