国際科学技術協力基盤整備事業「日本‐台湾研究交流」新規課題一覧

課題名		日本側研究代表者	所属・役職	課題概要
課題名		台湾側研究代表者	所属・役職	課題概要
１	ナノスケール強誘電体トランジスタの研究開発と機械学習アクセラレータへの応用	小林　正治	東京大学大学院工学系研究科附属システムデザイン研究センター(d.lab) 准教授	本研究は、Cyber-Physical-Systemの実現に不可欠な画像・時系列データ認識技術について、最先端のCMOS技術に基づく強誘電体トランジスタのデバイス技術と回路・システム設計技術を研究開発し、IoTエッジデバイスでの超高エネルギー効率な機械学習アクセラレータの実現を目的とする。
１	ナノスケール強誘電体トランジスタの研究開発と機械学習アクセラレータへの応用	蘇　俊榮	台湾半導体研究所（TSRI）リサーチフェロー
２	AIチップ技術に向けた三次元異種機能集積hCFETs	張　文馨	産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門研究員	本研究は、日台それぞれの最先端デバイス研究拠点の強みを活かし、3次元的な異種材料融合デバイスであるhCFETsを開発し、CMOS回路、メモリ、センサーなどの機能融合に向けたAIチップ実現に向け、そのプロセス基盤技術を構築していくことを目的とする。
２	AIチップ技術に向けた三次元異種機能集積hCFETs	李　耀仁	台湾半導体研究所（TSRI）リサーチフェロー
３	HfO₂強誘電体を用いた機能性トランジスタの開発	右田　真司	産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門上級主任研究員	HfO₂強誘電体薄膜の新機能開拓とそのトランジスタ集積技術を共同で研究開発し、AIシステムに不可欠な機能性トランジスタの基盤技術を構築することを目的とする。その成果はAIチップの製造を加速し、スマートで知的な社会生活の実現に貢献する。
３	HfO₂強誘電体を用いた機能性トランジスタの開発	張廖　貴術	清華大学システム科学工学部教授

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