• ① 三次元積層型強誘電体メモリのメモリ特性を向上するため、酸化物半導体のナノワイヤおよびマカロニチャネル構造で最適デバイス構造を発明した。
• ② 酸化物半導体チャネル強誘電体メモリでの弱消去問題を解消するために、反強誘電体をゲート絶縁膜とし、その半ループ特性を活用するデバイス構造を発明した。
• ③ AI演算で多用される積和演算を高エネルギー効率で処理するため、酸化物半導体チャネルトランジスタをアクセストランジスタとした抵抗変化型メモリアレイを構成し、それを三次元モノリシック集積により積層・チップ間接続した三次元ニューラルネットワークを発明した。

①メモリホールの径、強誘電体ゲート絶縁体膜厚、チャネル膜厚等のパラメータ最適化。

②反強誘電体の半ループ利用により、酸化物半導体に正電荷を誘起せずに消去動作が可能。

③抵抗変化型メモリアレイを螺旋的に積層接続し、ニューラルネットワークのレイヤー間の高効率信号伝搬。

①②三次元積層型強誘電体メモリはNANDフラッシュよりも低消費電力であり、酸化物半導体チャネルにすることでポリシリコンチャネルよりも高性能で高信頼。

③二次元ニューラルネットワークに対し、配線のオーバーヘッドを大幅に低減。

• ◎ IoTエッジデバイス向けストレージメモリ
• ◎ エッジAI向けCompute-in-Memory

• 1. 発明の名称：不揮発性記憶装置及びその動作方法
  国際公開番号：WO2021/024598
  登録番号：特許第7360203号(643KB)、米国11765907(2.45MB)
• 2. 発明の名称：三次元アレイ装置
  国際公開番号：WO2021/205941
  登録番号：特許第7730560号(562KB)、米国12453103(3.43MB)
• 3. 発明の名称：不揮発性記憶装置
  国際公開番号：WO2022/118809
  登録番号：特許第7849882号(290KB)