JST >> 知財活用支援事業 >> nanotech2020に出展します
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nanotech2020に出展します。

JST保有のナノ材料・ナノデバイスに関する厳選技術を紹介します。

知的財産マネジメント推進部は、ライセンスによる技術移転を見据えて2020年1月29日(水)〜31日(金)に東京ビッグサイトで開催される「第19回 国際ナノテクノロジー総合展・技術会議(nano tech 2020)」に出展します。JSTが保有する特許等の中から、ナノ材料・ナノデバイスに関連する厳選した技術を紹介します。
今回は、ナノギャップ電極、新規機能性ナノシート、窒素含有グラフェンに関する展示を行います。

皆様のお役に立つ技術があれば幸いです。当日皆様とお会いできることを心より楽しみにしております。

■ nanotech2020出展概要

【会期】
2020年1月29日(水)〜1月31日(金)
【会場】
東京ビッグサイト 西・南ホール全館(JSTのブースは西1・2ホール、小間番号は2W-A32です。)
〒135-0063 東京都江東区有明3-11-1
【公式WEBサイト】
https://www.nanotechexpo.jp/main/
【ビジネスマッチングシステム】
nanotech2020ではマッチングシステム(特許第5843841号)が用いられております。
本システムは、事前に出展者および来場者が基本情報を登録し、目的に合った交渉相手を検索の上、面談を申し込むことができるシステムです。

■ 出展技術のご紹介

整理番号 技術の名称 代表発明者・所属 技術の概要 国際公開番号 関連資料
1 ヘテロエピ球状Au/Ptナノギャップ電極
HS-Au/Pt Nanogap Electrodes
真島 豊(東京工業大学)
  • 無電解金めっきにより白金表面上で金をヘテロエピタキシャル成長
  • ギャップ部で白金細線電極対上で、金が無電解金めっきにより球状にヘテロエピタキシャル成長
  • 無電解金めっきの自己停止機能の利用
2 多様な材料をナノシート化する方法
How to make various materials into nanosheets
内田 幸明(大阪大学)
  • 「超膨潤ラメラ相」を利用したナノシート合成法(TRAP法※)の紹介
  • 「二次元的」形状の反応場の利用で生成物の厚みを制御。
  • 従来法より合成方法が簡便、かつ材料の適用範囲が広い。
  • ナノシートが 『安定な分散液』 で得られる。
    ※Two-dimensional Reactors in Amphiphilic Phases
3 窒素含有グラフェン
Nitrogen-Doped Graphene
齋藤永宏(名古屋大学)
  • 高機能グラフェンのソリューションプラズマ合成技術を紹介
  • 本方法により、高い窒素量を有する場合においても平面性を維持でき、高結晶性グラフェンを常温常圧で簡便に大量合成が可能。
※ご関心がある方は是非下記お問い合わせ先までご連絡ください。

お問い合わせ先

〒102-8666 東京都千代田区四番町5−3 サイエンスプラザ
科学技術振興機構
知的財産マネジメント推進部 知財集約・活用グループ
TEL:03-5214-8486 FAX:03-5214-8417 E-mail:ライセンス(あっせん・実施許諾)について メールアドレス ※お問い合わせの内容によっては、回答に時間を要する場合があります。