日本－ベトナム共同研究

国立研究開発法人科学技術振興機構（JST）では、ベトナム科学技術省（MST）と協力し、日本とベトナムの研究者間での国際共同研究を支援しております。公募の詳細は下記よりご確認ください。これまでの公募における採択課題の情報は「採択プロジェクト」ページをご参照ください。

第2回共同公募：　日本－ベトナム「半導体」

第2回公募では第1回に引き続き、日本とベトナムの研究者間での「半導体」分野における国際共同研究を支援することとなりました。以下のとおり共同研究課題の公募を実施します。なお、本公募はベトナム人若手研究人材の育成支援（※）も含まれております。詳細については、公募要領をご確認ください。

※ 研究人材育成： 国際共同研究に携わりつつ、その過程で日本において博士号の取得を目指すベトナム人若手研究人材に対し、研究奨励費（生活費相当額）および若手育成研究費を合わせた研究人材育成経費（単価：一人当たり最大390万円/年）を日本側研究機関に配賦し、支援します。

ベトナム側の申請についてはMSTのウェブページ、または要項に記載の問い合わせ先にご連絡ください。

日本側公募説明（説明言語：日本語）

日－ベトナム国際共同公募における、日本側研究者に対する公募説明会を開催しました。

資料

公募説明資料（日本語）を掲載しました。

公募説明動画

制度名・事業名・公募名（e-Rad上の情報）

「新規応募」の公募検索画面より、「NEXUS」で検索ください。

項目	名称
公募名	2026年度 NEXUS 日本－ベトナム共同公募「半導体」

公募分野・サブトピック

半導体

1. 設計
   （先端ロジック・メモリ半導体設計、低消費電力最適化、大規模パワー半導体設計を含む）
2. 材料
   （先端パッケージング材料、グリーン・トランスフォーメーション（GX）対応パワー半導体材料、次世代製造コンポーネント部材を含む）
3. 支援技術
   （電子設計自動化（EDA）、評価・解析技術を含む）
4. 製造
   （現世代および成熟ノード半導体の製造技術、プロセスデザインキットを含む）

Semiconductor

1. Design
   (incl. advanced logic/memory semiconductor design, low-power optimization, large-scale power semiconductor design)
2. Materials
   (incl. advanced packaging materials, green transformation (GX) power semiconductor materials, next-generation manufacturing component materials)
3. Support Technologies
   (incl. electronic design automation (EDA), evaluation and analysis technologies)
4. Manufacturing
   (incl. manufacturing technologies for current-generation and mature-node semiconductors, and process design kits (PDKs))

運営主幹 (PO)

平本　俊郎 （東京大学 大学院工学系研究科附属システムデザイン研究センター（d.lab）　上席研究員）

スケジュール

相手国との調整により、今後日程等に変更が入る可能性がございますので、ご留意ください。最新情報については適宜こちらのページをご確認ください。

項目	日時
公募開始日	2026年4月6日（月）
公募説明会	2026年4月16日（木）14時～15時（日本時間）
提案締切（e-Rad）	2026年6月4日（木）正午（日本時間）
書類審査期間	2026年6～7月（予定）
面接選考会（オンライン）	2026年9月初旬（予定）
審査結果通知	2026年9月（予定）
研究開始	2027年1月（予定）

公募要領・申請書類等

項目	ファイル
公募要領	PDF
公募要領 別紙（日本側応募者への応募にあたっての注意事項）	PDF
国際共同研究提案書　申請様式	Word
国際共同研究提案書　申請様式 別紙（日本側応募申請書）	Word
e-Rad マニュアル	PDF
FAQ （よくある質問と回答）	PDF

応募方法

公募開始後、公開された申請様式をダウンロードし、e-Rad（府省共通研究開発システム）より応募を行ってください。詳細な応募方法については公募要領およびe-Radマニュアルをご参照ください。

• 日本側研究者とベトナム側研究者が共通の所定申請様式を用いて同一の国際共同研究提案書を英語で作成し、日本側研究者はJSTに、ベトナム側研究者はMSTに提出してください。
• 日本側研究者は共通の国際共同研究提案書（英語）のほか、申請様式 別紙（日本語）の提出が合わせて必要となります。
• 日本側とベトナム側研究者の双方が締切時間までに研究提案を提出することを必須とします。いずれか一方の機関にしか申請されなかった場合や、JSTとMSTに異なる記載内容の研究提案を提出した場合、その他公募要領に記載している両国の「Eligibility」が満たされない場合は申請不受理となりますのでご注意ください。

注意事項

• ベトナムMSTの「Eligibility」として、両国研究代表者が所属する機関間の合意書（Agreement）が必要となります。相手国側研究代表者を通じて、当該合意書の早期締結にむけての準備をご確認ください。このとき、署名者の所属が申請者の所属と一致している必要がありますのでご注意ください（例：申請者の所属が「○○大学 大学院工学研究科」の場合、合意書の署名者は「○○大学 大学院工学研究科長」、もしくは「○○大学 総長（あるいは同等の職位）」である必要があります）。
• 日本側研究者が提出する「確認書（申請様式 別紙内）」には機関長の押印が必要です。大学の場合は総長等であり、学部長や学科長ではありませんのでご注意ください。原本の郵送は不要です。公印を省略する場合は、機関にて所定の手続きを行った上でご提出ください。
• 日本側は、PIとして本公募に複数の課題を提案することはできません。Co-PIはその制限はありませんので、PIとして１つの課題を提案し、Co-PIとして他の課題に参画することは妨げません。その場合においても、過度な集中を避けるための措置を講じる可能性があります。詳細は公募要領別紙（日本側応募者への応募にあたっての注意事項）をご参照ください。
• 日本側研究代表者は、所属機関等において研究倫理に関する教育プログラムを修了している必要があります。修了していることが確認できない場合は、要件不備となりますのでご注意ください。詳しくは公募要領 別紙(日本側応募者への応募にあたっての注意事項）をご確認ください。

採択後の契約資料等（参考情報）

「研究機関・採択研究者向け情報」ページをご参照ください

公募全体のお問い合わせ先

国立研究開発法人科学技術振興機構
国際部先端国際共同研究推進室ASEAN連携グループ
joint-call-ja"AT"jst.go.jp
（※"AT"部分を"@"に変えてください。）

過去の公募

第１回共同公募：　日本－ベトナム「半導体」