【岡田 直也】遷移金属内包シリコンクラスターを用いた低消費電力トランジスタ材料・プロセスの創出

さきがけ研究者

岡田 直也

岡田 直也

産業技術総合研究所
ナノエレクトロニクス研究部門
主任研究員

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研究領域の概要

遷移金属内包シリコンクラスターを単位構造とする新しい半導体薄膜の化学気相反応成膜法を開発します。これによって、膜の材料構造や組成を原子レベルで制御し、超高キャリア濃度、SiやGeとの理想的な接合特性、バンドエンジニアリングや高移動度といった既存のSi材料科学では成し得ない物性を追究します。この膜を用いてトランジスタの高性能化を実現し、情報機器の低消費電力化、高速化に貢献します。

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