次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究

1.研究領域の概要

 この研究領域は、半導体ロードマップ戦略に基づく技術進化の飽和を超越することを目的として、微細化パラダイムのみでは実現できない機能・性能を持つ、革新的且つ実用化可能なエレクトロニクスデバイスを創製するための材料・構造の開発及びプロセス開発を行う研究を対象とする。
 具体的には、新しい原理により消費電力の増大、製造コストの巨額化といった実用上の問題を解決するための高集積情報処理デバイス、有機物を含め異種材料や技術の融合により新機能・高性能を発揮するデバイス、及びそれらを可能にするプロセス研究、また従来にない斬新なアプリケーションを切り拓く研究等が含まれる。
 本研究領域では、材料・プロセスの特性・機構解明に留まらず、実用技術に発展することが十分見込まれる研究を推進する。

2.CREST研究領域事後評価

2-1.評価報告書

「次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究」研究領域事後評価報告書

2-2.評価委員

◎白木 靖寛   東京大学 名誉教授/東京都市大学 名誉教授
石内 秀美    (株)東芝 技術・イノベーション部 部長
岩井 洋     東京工業大学 フロンティア研究機構 教授
為近 恵美    NTTアドバンステクノロジ(株)経営企画部 技術輸出管理室担当部長
平本 俊郎    東京大学生産技術研究所 教授
◎は委員長

2-3.研究領域評価用資料

「次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究」研究領域事後評価用資料

プログラム

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