小寺 哲夫 （こでら てつお）
受賞
2012年
| 2. | 手島精一記念研究賞（中村健二郎賞） 半導体量子ドットのスピン間相互作用を利用した新原理情報素子の開発及び特性の評価 2012/2/27 |
|---|
2011年
| 1. | Best Poster Award, International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices (IS-AHND) Development of silicon quantum dot devices toward spin quantum bits 2011/10/5 |
|---|
論文発表
2013年
| 8. | K. Takeda, T. Obata, Y. Fukuoka, W. M. Akhtar, J. Kamioka, T. Kodera, S. Oda, and S. Tarucha Characterization and suppression of low-frequency noise in Si/SiGe quantum point contacts and quantum dots Appl. Phys. Lett. 102, 123113 (2013) |
|---|---|
| 7. | Tomohiro Kambara, Tetsuo Kodera, Yasuhiko Arakawa, and Shunri Oda Dual Function of Single Electron Transistor Coupled with Double Quantum Dot: Gating and Charge Sensing Jpn. J. Appl. Phys. 52 (2013) 04CJ01 (4 pages) |
2012年
| 6. | G. Yamahata, T. Kodera, H. O. H. Churchill, K. Uchida, C. M. Marcus, and S. Oda Magnetic field dependence of Pauli spin blockade: A window into the sources of spin relaxation in silicon quantum dots Phys. Rev. B 86, 115322-1-5 (2012) |
|---|---|
| 5. | K. Horibe, T. Kodera, T. Kambara, K. Uchida, and S. Oda Key capacitive parameters for designing single-electron transistor charge sensors J. Appl. Phys. 111, 093715 (2012) |
| 4. | M. A. Sulthoni, T. Kodera, Y. Kawano, S. Oda A Multi-purpose Electrostatically Defined Silicon Quantum Dots Jpn. J. Appl. Phys. 51, 2, 02BJ10 (2012) |
2011年
| 3. | M. A. Sulthoni, T. Kodera, K. Uchida, and S. Oda Numerical simulation study of electrostatically defined silicon double quantum dot device J. Appl. Phys. 110, 054511 (2011) |
|---|---|
| 2. | T. Kambara, T. Kodera, T. Takahashi, G. Yamahata, K. Uchida, S. Oda Simulation study of charge modulation in coupled quantum dots in silicon Japanese Journal of Applied Physics, vol. 50, 04DJ05 (2011) |
| 1. | A. Rossi, T. Ferrus, W. Lin, T. Kodera, D. A. Williams, and S. Oda Detection of variable tunneling rates in silicon quantum dots Appl. Phys. Lett. 98, 133506 (2011) |
口頭発表
2013年
| 62. | 溝口来成，小寺哲夫，堀部浩介，河野行雄，小田俊理 三角形状に配置したシリコン三重量子ドットの電子輸送特性 第60回応用物理学会春季学術講演会、29p-G9-7、神奈川工科大学（2013） |
|---|---|
| 61. | 堀部浩介，小寺哲夫，蒲原知宏，河野行雄，小田俊理 チャージセンサによるシリコン2重結合量子ドットの少数電子状態観測 第60回応用物理学会春季学術講演会、29p-G9-6、神奈川工科大学（2013） |
| 60. | 蒲原知宏，小寺哲夫，河野行雄，小田俊理 微小磁性体電極集積によるシリコン2重結合量子ドットへの2軸磁場印加 第60回応用物理学会春季学術講演会、27p-PB5-13、神奈川工科大学（2013） |
| 59. | 小路智也，小寺哲夫，野口智弘，宇佐美浩一，河野行雄，小田俊理 熱電変換素子に向けたGe/Si コアシェルナノワイヤの作製 第60回応用物理学会春季学術講演会、27p-PB5-10、神奈川工科大学（2013） |
| 58. | K. Horibe, T. Kodera, T. Kambara, Y. Kawano, and S. Oda Two-electron silicon double quantum dots fabricated for spin-based qubit application IEEE EDS WIMNACT 37: Future Trend of Nanodevices and Photonics, P-5, Tokyo, Japan (2013) |
| 57. | Takayoshi Kuga, Luca Crespi, Jun Kamioka, Daichi Suzuki, Tetsuo Kodera, Shunri Oda and Yukio Kawano Terahertz detection with antenna-coupled heavily P-doped Si quantum dots IEEE EDS WIMNACT 37: Future Trend of Nanodevices and Photonics, P-14, Tokyo, Japan (2013) |
| 56. | K. Yamada, T. Kodera, T. Kambara, Y. Kawano, S. Oda Observation of few-hole regime through p-channel Si double quantum dots IEEE EDS WIMNACT 37: Future Trend of Nanodevices and Photonics, P-4, Tokyo, Japan (2013) |
| 55. | R. Mizokuchi, T. Kodera, K. Horibe, Y. Kawano, Y. Arakawa, and S. Oda Observation of electron transitions in triple quantum dot by using charge sensor IEEE EDS WIMNACT 37: Future Trend of Nanodevices and Photonics, P-7, Tokyo, Japan (2013) |
| 54. | T. Kambara, T. Kodera, Y. Kawano, Y. Arakawa, and S. Oda Micro magnets on lithographically-defined Si double quantum dots for electron spin resonance IEEE EDS WIMNACT 37: Future Trend of Nanodevices and Photonics, P-9, Tokyo, Japan (2013) |
| 53. | J. Kamioka, T. Kodera, T. Obata, K. Takeda, W. M. Akhtar, S. Tarucha, and S. Oda Fabrication of MOS structure gate-defined Si/SiGe quantum dot device IEEE EDS WIMNACT 37: Future Trend of Nanodevices and Photonics, P-3, Tokyo, Japan (2013) |
| 52. | Tomoya Shoji, Tetsuo Kodera, Tomohiro Noguchi, Kouichi Usami, Yukio Kawano, and Shunri Oda Fabrication of Ge/Si core/shell nanowires using size controlled Au nanoparticles as Vapor-Liquid-Solid growth catalysts IEEE EDS WIMNACT 37: Future Trend of Nanodevices and Photonics, P-11, Tokyo, Japan (2013) |
| 51. | T. Noguchi, T. Kodera, M. Simanullang, A. Surawijaya, K. Usami, Y. Kawano, S. Oda Fabrication and characterization of bottom-up Si nanowire IEEE EDS WIMNACT 37: Future Trend of Nanodevices and Photonics, P-10, Tokyo, Japan (2013) |
| 50. | S. Ihara, T. Kodera, K. Horibe, Y. Kawano, K. Uchida, S. Oda Demonstration of large charging energy in quantum dots fabricated on ultrathin SOI IEEE EDS WIMNACT 37: Future Trend of Nanodevices and Photonics, P-8, Tokyo, Japan (2013) |
| 49. | T. Kambara, T. Kodera, and S. Oda Multifunctional lithographically-defined Si quantum dots for spin qubits Internatilnal Workshop on silicon Quantum Electronics, P33, Villard-deLans, France (2013) |
| 48. | K. Horibe, T. Kodera, T. Kambara, Y. Kawano, K. Uchida, and S. Oda Lithographically-defined silicon few-electron quantum dots fabricated on a silicon-on-insulator substrate Internatilnal Workshop on silicon Quantum Electronics, P19, Villard-deLans, France (2013) |
| 47. | T. Kodera, K. Horibe, T. Kambara, T. Sawada, K. Uchida, Y. Arakawa, and S. Oda Fabrication and characterization of silicon quantum dots toward spin-based quantum information devices Internatilnal Workshop on silicon Quantum Electronics, P31, Villard-deLans, France (2013) |
| 46. | T. Kodera, T. Sawada, K. Horibe, T. Ferrus, D. Williams, M. Hatano, and S. Oda Top-down and bottom-up silicon quantum dots for qubit application Quantum Dot Day 2013, O14, University of Nottingham, UK (2013) |
2012年
| 45. | T. Kodera, T. Sawada, S. Oda Transport properties of a single nanocrystalline silicon quantum dot between nanogap electrodes 2012 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS 2012), pp. 50, Hawaii, USA (2012) |
|---|---|
| 44. | T. Kodera Silicon Single Electron Transistors for Quantum Bit Application BIT’s 2nd Annual World Congress of Nanoscience and Nanotechnology 2012, Qingdao, China (2012) |
| 43. | K. Yamada, T. Kodera, T. Kambara, Y. Kawano, and S. Oda Fabrication and Characterization of pChannel Si Double-Quantum-Dot Structures 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Kyoto, Japan (2012) |
| 42. | T. Kambara, T. Kodera, and S. Oda Dual Function of Charge Sensor: Charge Sensing and Gating 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Kyoto, Japan (2012) |
| 41. | 溝口来成，小寺哲夫，堀部浩介，河野行雄，小田俊理 単電子トランジスタによるSi三重量子ドットのチャージセンシング 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会、14a-F4-7, 愛媛大学, 松山大学 (2012) |
| 40. | 小寺哲夫，溝口来成，林 久志，堀部浩介，蒲原知宏，荒川泰彦，小田俊理 正三角形の頂点に配置したシリコン3重量子ドットの作製と特性評価 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会、14a-F4-11, 愛媛大学, 松山大学 (2012) |
| 39. | 山田 宏，小寺哲夫，蒲原知宏，河野行雄，小田俊理 ホール輸送によるp型量子ドットの作製と特性評価 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会、14a-F4-10, 愛媛大学, 松山大学 (2012) |
| 38. | 蒲原知宏，小寺哲夫，小田俊理 バックゲートとソース/ドレイン電圧印加による各量子ドットの電気化学ポテンシャル制御 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会、14a-F4-8, 愛媛大学, 松山大学 (2012) |
| 37. | 神岡 純，小寺哲夫，武田健太，小幡利顕，吉田勝治，樽茶清悟，小田俊理 MOS構造gateを有するSi/SiGe量子ドットデバイスの作製 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会、14a-F4-9, 愛媛大学, 松山大学 (2012) |
| 36. | Jannatul susoma，中峯嘉文，近藤信啓，小寺哲夫，宇佐美浩一，河野行雄，小田俊理 Channel Length Scaling and Surface Nitridation of Silicon Nanocrystals for High Performance Electron Device 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会、14a-F4-3, 愛媛大学, 松山大学 (2012) |
| 35. | 大橋輝之，高橋綱己，小寺哲夫，小田俊理，内田 建 ユニバーサル曲線を超えるMOSFET移動度の観測とその物理的起源の解明 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会、13p-F4-12,愛媛大学, 松山大学 (2012) |
| 34. | 野口智弘，小寺哲夫，Marolop Simanullang，Surawijaya Akhmadi，宇佐美浩一，小田俊理 Si ナノワイヤ FETの電気特性に対するアニーリング処理の影響 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会、13p-F4-6,愛媛大学, 松山大学 (2012) |
| 33. | K. Takeda, Y. Fukuoka, T. Obata, J. Sailer, A. Wild, T. Kodera, K. Sawano, S. Oda, Y. Shiraki, D. Bougeard, G. Abstreiter, and S. Tarucha Charge noise characterization and reduction in Si/SiGe quantum devices 31st International Conference on the Physics of Semiconductor (ICPS2012), 64.16-158, Zurich, Switzerland (2012) |
| 32. | T. Ferrus, A. Rossi, T. Kodera, T. Kambara, W. Lin, S. Oda, and D. Williams Microwave effects on silicon quantum dots 31st International Conference on the Physics of Semiconductor (ICPS2012), 37.4-261, Zurich, Switzerland (2012) |
| 31. | J. Kamioka, T. Kodera, K. Horibe, Y. Kawano, and S. Oda Fabrication and evaluation of heavily P-doped Si quantum dot and back-gate induced Si quantum dot The 2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW2012), June 2012, Honolulu, Hawaii (2012) |
| 30. | R. Mizokuchi, T. Kodera, K. Horibe, Y. Kawano, and S. Oda Charge sensing of a Si triple quantum dot system using single electron transistors The 2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW2012), June 2012, Honolulu, Hawaii (2012) |
| 29. | T. Kodera, Y. Fukuoka, K. Takeda, T. Obata, K. Yoshida, K. Sawano, K. Uchida, Y. Shiraki, S. Tarucha, and S. Oda Fabrication and characterization of Si/SiGe quantum dots with capping gate The 2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW2012), June 2012, Honolulu, Hawaii (2012) |
| 28. | T. Kodera, K. Horibe, T. Kambara, T. Ferrus, A. Rossi, Y. Kawano, K. Uchida, D. A. Williams, Y. Arakawa, S. Oda Silicon quantum dot devices toward electron spin quantum bits 8th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC8) P168, Tsukuba, Japan (2012) |
| 27. | 小寺哲夫，堀部浩介，林文城，蒲原知宏，T. Ferrus，A. Rossi，内田建，D. A. Williams，荒川泰彦，小田俊理 シリコン量子ドットを用いた電荷検出 日本物理学会2012年年次大会, 24aBJ-9, 関西学院大学 (2012) |
| 26. | M. A. Sulthoni, 小寺 哲夫，河野 行雄，小田 俊理 単層ゲートによるシリコン2重量子ドット形成のシミュレーション 2012年春季第59回応用物理学関係連合学術講演会, 18a-GP6-10, 早稲田大学, 新宿 (2012) |
| 25. | 澤田知孝，小寺哲夫，河野行雄，波多野睦子，小田俊理 ナノギャップ電極とナノ結晶シリコン量子ドットの電子輸送特性 2012年春季第59回応用物理学関係連合学術講演会, 18a-GP6-9, 早稲田大学, 新宿 (2012) |
| 24. | 蒲原知宏，小寺哲夫，T. Ferrus，A. Rossi，堀部浩介，荒川泰彦，D. Williams，小田俊理 シリコン２重結合量子ドットの少数電子領域観測へ向けた構造最適化の検討 2012年春季第59回応用物理学関係連合学術講演会, 17p-A1-10, 早稲田大学, 新宿 (2012) |
| 23. | 福岡佑二，小寺哲夫，武田健太，小幡利顕，吉田勝治，澤野憲太郎，内田建，白木靖寛，樽茶清悟，小田俊理 Capping gate構造を有するSi/SiGe量子ドットの作製と評価 2012年春季第59回応用物理学関係連合学術講演会, 16p-GP6-4, 早稲田大学, 新宿 (2012) |
2011年
| 22. | T. Kodera Spin Effects and Charge Sensing in Silicon Single Electron BIT’s 1st Annual World Congress of Nano-S&T, Dalian, China (2011) |
|---|---|
| 21. | T. Kodera, K. Horibe, W. Lin, T. Kambara, T. Ferrus, A. Rossi, K. Uchida, D. A. Williams, Y. Arakawa, and S. Oda Development of silicon quantum dot devices toward spin quantum bits International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices (IS-AHND) 2011, P-12, pp.72, Meguro, Japan |
| 20. | K. Horibe, T. Kodera, T. Kambara, K. Uchida, S. Oda Fabrication of few-electron silicon quantum dot devices based on an SOI substrate with a top gate contact International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices (IS-AHND) 2011, P-11, pp.69, Meguro, Japan |
| 19. | T. Sawada, T. Kodera, Y. Kawano, M. Hatano, and S. Oda Electron transport in a single silicon nanocrystal between nanogap electrodes International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices (IS-AHND) 2011, P-9, pp.65, Meguro, Japan |
| 18. | T. Kambara, T. Kodera, T. Ferrus, A. Rossi, K. Horibe, Y. Arakawa, D. Williams, and S. Oda Charge detection techniques in Si double quantum dots International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices (IS-AHND) 2011, P-5, pp.57, Meguro, Japan |
| 17. | M. A. Sulthoni, T. Kodera, Y. Kawano and S. Oda A Multi-purpose Electrostatically Defined Silicon Quantum Dot Structure 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), P-9-7, Nagoya, Japan |
| 16. | 小寺 哲夫，堀部 浩介，蒲原 知宏，山端 元音，内田 建，荒川 泰彦，小田 俊理 シリコン量子ドットにおけるスピン効果と磁場依存性 日本物理学会2011年秋季大会, 23pTM-12, pp698, 富山大学 (2011) |
| 15. | T. Kodera, K. Horibe, T. Kambara, G. Yamahata, K. Uchida, Y. Arakawa, S. Oda Observation of few-electron regime and suppression of inter-dot tunneling in silicon quantum dots the International Conference on Quantum Information Processing and Communication 2011 (QIPC 2011), CS-8, Zurich, Switzerland, (2011) |
| 14. | 小寺 哲夫，堀部 浩介，林 文城，蒲原 知宏，T. Ferrus，A. Rossi，内田 建，D. A. Williams，荒川 泰彦，小田 俊理 並列結合したシリコン量子ドットにおける電荷検出実験 2011年秋期 第72回応用物理学会学術講演会, 2p-K-5 山形大学 (2011) |
| 13. | 堀部 浩介，小寺 哲夫，蒲原 知宏，内田 建，小田 俊理 シリコン量子ドットと単電子トランジスタ電荷センサーの静電結合評価 2011秋季 第72回応用物理学関係連合講演会、1p-P10-2、山形大学 (2011) |
| 12. | 澤田知孝，小寺哲夫，河野行雄，波多野睦子，小田俊理 ナノギャップ電極とナノ結晶シリコン量子ドットの集積配列 2011秋季 第72回応用物理学関係連合講演会、1p-P10-1、山形大学 (2011) |
| 11. | 福岡佑二、小寺哲夫、大塚朋廣、武田健太、小幡利顕、吉田勝治、澤野憲太郎、内田建、白木靖寛、樽茶清悟、小田俊理 Si/SiGe量子ドット構造のシミュレーションと作製 2011年秋期 第72回応用物理学会学術講演会, 1p-P10-3 山形大学 (2011) |
| 10. | K. Horibe, T. Kodera, T. Kambara, K. Uchida, S. Oda Observation of single-electron regime in a silicon quantum dot by a single-electron transistor the 19th international conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Electron Systems (EP2DS-19), Tu-P-43, Florida, USA, (2011) |
| 9. | T. Kodera, K. Horibe, H. Hayashi, T. Kambara, K. Uchida, Y. Arakawa, S. Oda Triangularly-positioned silicon triple quantum dots the 15th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS 15), Tu-P-90, Florida, USA (2011) |
| 8. | Y. Fukuoka, T. Kodera, T. Otsuka, K. Takeda, T. Obata, K. Yoshida, K. Sawano, K Uchida, Y. Shiraki, S. Tarucha, and S. Oda Simulation study of charge modulation in coupled quantum dots in silicon IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, 5-17, Kyoto, Japan (2011) |
| 7. | T. Ferrus, A. Rossi, W. Lin, D. A. Williams, T. Kodera, and S. Oda An apparent metal-insulator transition in a phosphorous doped silicon single electron transistor IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, 5-16, pp. 65, Kyoto, Japan (2011) |
| 6. | T. Kodera, K. Horibe, W. Lin, T. Kambara, T. Ferrus, A. Rossi, K. Uchida, D. A. Williams, Y. Arakawa, and S. Oda Charge detection in silicon quantum dots coupled in parallel IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, 6-3, pp. 73, Kyoto, Japan (2011) |
| 5. | T. Kodera, K. Horibe, T. Kambara, G. Yamahata, K. Uchida, Y. Arakawa, S. Oda Observation of Pauli-spin blockade and single-electron regime in silicon coupled quantum dots 7th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC7), T4, Albany, USA (2011) |
| 4. | 林文城，小寺哲夫，Thierry Ferrus，Alessandro Rossi，David Williams，内田 建，小田俊理 シリコン単電子トランジスタを電荷センサとした電子数変化の検出 第58回応用物理学会関係連合講演会, 27a-KC-7, pp. 13-271, 神奈川工科大学, 厚木 (2011) |
| 3. | 堀部浩介，小寺哲夫，蒲原知宏，内田 建，小田俊理 チャージセンサによるシリコン量子ドットの少数電子状態観測 第58回応用物理学会関係連合講演会, 27a-KC-6, pp. 13-270, 神奈川工科大学, 厚木 (2011) |
| 2. | 福岡佑二，小寺哲夫，大塚朋廣，武田健太，小幡利顕，吉田勝治，澤野憲太郎，内田 建，白木靖寛，樽茶清悟，小田俊理 Si/SiGe量子ドット作製に向けたPdトップゲート動作点の低電圧化 第58回応用物理学会関係連合講演会, 26p-KV-6, pp. 14-081, 神奈川工科大学, 厚木 (2011) |
| 1. | 小寺 哲夫，堀部 浩介，蒲原 知宏，山端 元音，内田 建，荒川 泰彦，小田 俊理 電子スピン量子ビットに向けた少数電子シリコン量子ドットの実現 第58回応用物理学会関係連合講演会, 25p-KV-1, pp. 14-045, 神奈川工科大学, 厚木 (2011) |
