LCS-FY2017-PP-11
GaN系半導体デバイスの技術開発課題とその新しい応用の展望（Vol.2）
—GaN結晶と基板製造コスト—
概要
GaN系半導体デバイスとして、レーザー、高輝度LED、パワー半導体が関心を集め、研究対象となっているが、これらデバイスは GaN基板を必要とする場合が多い。
GaN単結晶の製造が技術的に困難なため、GaN基板は極めて高価で、GaN基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている。そこで、GaN単結晶の代表的な製造方法として、HVPE（Hydride Vapor Phase Epitaxy）法、アモノサーマル法、フラックス法をとりあげ、現状技術レベル、実用化に至る課題、課題を克服した場合の将来コストなどについて検討した。