研究領域の基本情報

新原理デバイス創成のためのナノマテリアル[ナノマテリアル・デバイス]

戦略目標

新たな半導体デバイス構造に向けた低次元マテリアルの活用基盤技術

領域の概要

　本研究領域では、2次元物質をはじめとする多様なナノマテリアルの電子デバイスに関する基礎学理の構築と基盤技術の開発を目的とします。ナノマテリアルは、近年ファンデルワールス物質の特徴を生かしたナノチューブや2次元物質が最先端半導体デバイスのコアマテリアルとして期待されているだけでなく、種々のセンサ、光デバイス、スピントロニクスデバイスなどとして応用が進展しています。一方、2次元物質は、そのデバイス化によってバルク材料では実現できない量子物性が数多く発見され、世界的に大きなインパクトを与えています。このように、ナノマテリアルとそのデバイスを用いて、先端エレクトロニクスの基礎を切り開くとともに、新規物性を開拓しこれに基づくデバイスの新原理を創成します。これによって、ナノマテリアルでしかできない新機能、高性能デバイスの実現を目指します。
　具体的には、ファンデルワールス物質に限らず、電子機能を有するあらゆるナノマテリアルを対象とし、極薄膜や界面なども含みます。物質の合成から、デバイス作製とそのプロセス開発、基礎物性の解明から機能開発と高度化まで、物理、化学、材料科学、電子工学などの学際的アプローチで、独創性の高い基礎学理を確立するとともに、ナノマテリアルの活用基盤技術を構築します。

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本年度の募集スケジュール

募集説明会	4月16日(水)
応募締め切り	5月27日(火)　正午※厳守
書類選考会	7月11日(金)
書類選考通過者への連絡期限	7月18日(金)
面接選考会（オンライン） ※ 具体的な面接日時についてはJSTから指定させていただきます。あらかじめご了承ください。	7月30日(水)、31日(木)

研究領域の募集方針