研究領域の基本情報

トポロジカル材料科学と革新的機能創出[トポロジー]

研究総括

村上 修一東京工業大学 理学院 教授

戦略目標

トポロジカル材料科学の構築による革新的材料・デバイスの創出

(リンク先は国立国会図書館インターネット資料収集保存事業(WARP)となります。)

領域の概要

 本研究領域は、トポロジーという新たな物質観に立脚したトポロジカル材料科学の構築と、それによる革新的な新規材料・新規機能創出を目的とし、「トポロジカル絶縁体」に代表される様々なトポロジカル量子材料に加え、磁性、光学、メカニクス、ソフトマター(高分子材料・ゲル材料など)分野など、広範な領域における"トポロジカル材料科学"の探求を通して、原理的にその性能向上の限界が顕在化してきているエレクトロニクスデバイス分野等において新たなパラダイムを築くことを目指します。
 詳細は研究領域HPをご覧ください。

領域アドバイザー

アドバイザーを表示する
石坂 香子 東京大学 大学院工学系研究科 教授
石原 照也 東北大学 大学院理学研究科 教授
大淵 真理 富士通研究所 シニアマネージャー
齊藤 英治 東京大学 大学院工学系研究科 教授
笹川 崇男 東京工業大学 科学技術創成研究院 准教授
佐藤 昌利 京都大学 基礎物理学研究所 教授
高田 十志和 広島大学 大学院先進理工系科学研究科 研究科長
坪井 俊 武蔵野大学 工学部 特任教授
眞子 隆志 科学技術振興機構 研究開発戦略センター フェロー
村木 康二 日本電信電話(株) 物性科学基礎研究所 上席特別研究員
求 幸年 東京大学 大学院工学系研究科 教授

本年度の募集スケジュール

応募締め切り 6月16日(火)正午※厳守
書類選考会 7月31日(金)
書類選考通過者への連絡期限 8月7日(金)
面接選考会(※)
※ 具体的な面接日時についてはJSTから指定させていただきます。あらかじめご了承ください。
8月20日(木)-8月21日(金)

研究領域の募集方針

応募方法

下記の様式をダウンロードし、e-Rad(府省共通研究開発システム)より応募を行ってください。詳細な応募方法については募集要項をご参照ください。※指定と異なる様式を用いた場合、研究提案が不受理となる可能性があります。

注意事項

研究提案者は、研究倫理教育に関するプログラムを修了していることが応募要件となります。修了していることが確認できない場合は、応募要件不備とみなしますのでご注意ください。CRESTの場合、主たる共同研究者については、申請時の受講・修了は必須とはしません。

研究提案者と研究総括との利害関係について

下記問い合わせ様式に必要事項をご記入の上、下記のメールアドレス宛てにお送りください。利害関係の該当項目について詳細は募集要項の第5章「CREST・さきがけ・ACT-X 共通事項」をご参照ください。

  • 問い合わせ様式 [word]
    E-mailアドレス: rp-info[at]jst.go.jp ※[at]を@に置き換えてください。
    件名:【利害確認】【(CREST/さきがけ/ACT-Xより1つ選択)提案先研究総括氏名】ご所属・氏名

参考資料

研究契約が締結できない場合、もしくは当該研究機関での研究が適切に実施されないと判断される場合には、当該研究機関における提案研究の実施はできません。
特に海外研究機関で研究を実施する場合には、契約書の内容に問題がないか海外研究機関の契約担当部局の責任者に事前に確認を行ってください。

面接選考対象者の方には、書類選考通過の連絡後、面接選考までに補足説明資料にご記入・ご提出をいただきます。予算計画の詳細、契約締結に関する事実確認等重要な項目を含んでおりますので、あらかじめご確認いただくことを推奨いたします。
面接時補足説明資料の標準様式を上記に示しますが、提案先研究領域によってはさらなる記入事項がある場合がございます。資料の記入にあたっての注意点や提出先・締切は、書類選考通過の連絡時にJSTから指示いたしますので、ご対応の程よろしくお願いいたします。

CRESTにおいて海外研究機関を含む研究チーム構成を希望される場合、さきがけにおいて海外研究機関で研究を実施する場合には、主に契約上の観点から、当該海外研究機関が要件を満たしていることを確認するため、「契約締結に関する事前確認様式」の提出が必要となります (研究契約の要件に海外研究機関の同意が得られない場合は、研究契約の締結およびその機関での研究実施はできません)。 「面接時補足説明資料」提出時点で事前確認様式の内容について「承諾」が得られていない場合は、面接選考会当日、あるいは採択候補となった時点において、研究実施場所の変更を含む研究計画の変更等を求めることがあります。