科学技術振興機構（JST）は、戦略的創造研究推進事業CRESTの枠組みの中で2024年度の公募にて、フランスのANR（国立研究機構） と連携し、以下の1研究領域で日仏共同提案を募集します。

[ナノ物質半導体] ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術

採択された場合日本側グループはJST（CREST）から、仏側グループはANRから、それぞれ支援を受けます。
応募にあたって日仏の研究代表者は共同研究提案書（英語、CREST－ANR共通書式）を作成し、JST、ANR両機関に申請して下さい。両機関に申請されることが審査の要件となります。

ANRの申請受付期間はJST（CREST）より早いのでご注意ください（ANRの申請受付期間は3月から6月の間を予定しています）。
また、日仏共同提案と通常のCRESTの提案の両方を申請することはできませんので、ご注意ください。
通常のCREST提案募集については今後本ホームページよりご案内します。
詳細については、準備が整い次第本募集ホームページ、ANRのホームページに掲載いたしますのでご確認ください。
なお、この日仏共同提案募集の予告は、国会における令和6年度政府予算の成立を前提として行っています。

ANRのHP