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【ＣＲＥＳＴタイプ】
○戦略目標「新原理・新機能・新構造デバイス実現のための材料開拓とナノプロセス開発」の下の研究領域
 「次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究」
研究総括：渡辺 久恒（株式会社半導体先端テクノロジーズ 代表取締役社長）
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研究領域の概要
この研究領域は、半導体ロードマップ戦略に基づく技術進化の飽和を超越することを目的として、微細化パラダイムのみでは実現できない機能・性能を持つ、革新的且つ実用化可能なエレクトロニクスデバイスを創製するための材料・構造の開発及びプロセス開発を行う研究を対象とします。
具体的には、新しい原理により消費電力の増大、製造コストの巨額化といった実用上の問題を解決するための高集積情報処理デバイス、有機物を含め異種材料や技術の融合により新機能・高性能を発揮するデバイス、及びそれらを可能にするプロセス研究、また従来にない斬新なアプリケーションを切り拓く研究等が含まれます。
本研究領域では、材料・プロセスの特性・機構解明に留まらず、実用技術に発展することが十分見込まれる研究を推進します。
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研究総括の募集・選考・研究領域運営にあたっての方針
シリコンCMOS微細化の極限追究に代表されるロードマップ戦略は、エレクトロニクス業界の共通認識として理解する必要があります。しかし、2025年あるいは2030年に到来すると言われているシリコンデバイス微細化の限界を突破するためには、間近に直面する課題だけでなく、既存の概念にとらわれない、斬新なアイディアや概念的に深いレベルの科学的理解から派生するブレークスルーが必要であると考えられます。これまでにも、必ずしもメインストリームにあると扱われていなかったアイディアから、ディスラプティブイノベーションが引き起こされた例も少なくありません。
そのため当領域の募集方針としては、基礎的・共通的分野の材料開拓、プロセス開発、新概念デバイス創成技術を対象とします。SiCMOS(ロジック、メモリなど)に関するロードマップの時間軸をX軸とすると、これに直行するY軸として原理的に斬新な材料、デバイス、プロセス、Z軸として関連する技術の概念的に深い科学的理解をとると、提案はX軸からある程度はなれたY軸あるいはZ軸上のテーマを取り上げます。かつ将来それがメインストリーム上でパラダイムシフト(部分的、全体的)をもたらす可能性があるかを重要視します。
選考方針としては、産学連携を通して積極的に実用化に向かおうとする研究、異分野融合を通して科学的・技術的な異分野間のギャップを克服しようとする研究を優先します。また、既存のエレクトロニクスのどの限界をブレークスルーするのか、実用化研究に発展・受け継がれるか、といった観点を重視して選考します。
研究提案においては5年間のマイルストーンを提示して頂きます。ただし領域の運営方針としては、中間評価に代表される、研究進行中の評価を重視します。採択から3年間程度で実用化に向けての道筋が相当程度ビジブルになることを目指します。中間評価以降は評価結果あるいはその他研究進捗の状況によって、その後の研究の進め方を大胆に見直すことを想定しています。
なお、当領域は公募段階から経済産業省ナノテクノロジープログラム｢ナノエレクトロニクス半導体新材料・新構造技術開発−うち新材料･新構造ナノ電子デバイス｣と連携して進めることとしています。提出された提案についても、必要に応じて相互に意見照会等を行うことも想定しています。
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研究領域募集説明会のお知らせ
本研究領域では募集説明会を実施いたします。
詳細はこちらをご覧下さい。
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