L10規則化強磁性ナノワイヤ
～幅10nmの強磁性体～
真島 豊（東京工業大学）
発明のポイント
- ・10nm幅で保持力10エールステッドのCo-Pt強磁性体を半導体プロセスで実現
- ・現在、40-50nmサイズのMTJ素子を10nmサイズにできる
- ・DRAMより早く、消費電力が1/50のMRAMへの応用でDRAMの置き換えを狙う
- ・近接場光を用いるトラック幅10nmの次世代HDD用のTMRヘッドの実現を狙う
発明の概要
Si基板上にCoとPtを積層させた幅10nm程度のナノワイヤを作りアニールするとCoPtが合金化し、MPaオーダーの内部応力のためL10規則化する
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電子線リソ（EBL） Si基板にナノワイヤ構造を電子線描画 
電子線蒸着 (Co/Pt)nの交互積層磁性薄膜構造
RTAによるアニール
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従来技術との比較・優位性
| 高圧歪み加工後に熱処理 | 一原子層ずつ交互に蒸着 | 本発明 | |
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| 概要 |
 https://user.spring8.or.jp/resrep/?p=13208 |
 https://www.sankei-award.jp/sentan/jusyou/2013/4.pdf |
上記のとおり （CoとPtを積層させたナノワイヤをアニールするのみ） |
| 比較 |
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想定される用途
- ◎ 10nmルールの次世代MRAM
- ◎ トラック幅10nmの次世代HDD
ライセンス可能な特許
発明の名称：規則化合金強磁性ナノワイヤ構造体及びその製造方法
国際公開番号：WO2023/038158
登録番号：特許第7520434号(526KB)
