論文

• K, Fujiwara, R. Gotoh, X. B. Yang, H. Koizumi, J. Nozawa, S. Uda
  "Morphology Transformation of a Crystal-Melt Interface during Unidirectional Growth of Silicon",
  Acta Materialia, 59, p. 4700-4708, 2011.
• X. Yang, K. Fujiwara, K. Maeda, J. Nozawa, H. Koizumi and S. Uda
  "Dependence of Si faceted dendrite growth orientation on twin spacing and undercooling",
  Crystal Growth & Design, 11, p. 1402-1410, 2011

口頭発表・ポスター発表

出版物

その他

プレス発表

• 2013年7月26日：Si結晶基板の品質と太陽電池特性を瞬時に判定！
  —電流変調四探針抵抗率測定法（Current-Modulating Four-Point-Probe (CMR) Method）の開発−
  http://www.tohoku.ac.jp/japanese/newimg/pressimg/tohokuuniv-press_20130726_02.pdf

受賞