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- 【長田 貴弘】フッ化物ユニバーサル高誘電体極薄膜材料の創出
物質・材料研究機構
国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
グループリーダー
研究室ホームページ
本研究は、誘電率40以上のフッ化物高誘電体極薄膜材料(フッ化物High-k)を創出し、MOS構造でSiO2換算等価膜厚0.5nm以下、低リーク素子の実現を目指します。フッ化物High-kは、一種の材料で多様な次世代チャネル材料(Ge、InGaAsなど)と界面反応層が無い直接接合形成の可能性が有り、これまでに無いユニバーサルな高機能High-k材料としてIT機器の消費電力の劇的な低減が期待できます。