１９７７年　３月：東京大学工学部金属工学科　卒業
１９７７年　４月：株式会社諏訪精工舎（現セイコ−エプソン(株)）入社。開発部勤務
１９８５年１１月：セイコ−エプソン（株）基礎開発部１Ｓグル−プ課長
１９８８年　２月：工学博士（東京大学）
１９８９年　４月：セイコ−エプソン（株）開発本部　機能材料研究部　部長
１９９６年　４月：同　　　研究開発本部　基盤技術研究所　所長
１９９８年　９月：同　　　英国ケンブリッジ研究所　Consulting　Director
２００２年　６月：同　　　フェロ−（理事）就任
２００４年１１月：同　　　研究開発本部　副本部長
２００６年　９月：北陸先端科学技術大学院大学　ﾅﾉﾏﾃﾘｱﾙﾃｸﾉﾛｼﾞ-ｾﾝﾀ-教授
２００６年１０月：JST戦略的創造研究推進事業　ERATO型研究総括
この間
１９８９年４月〜１９９０年３月：名古屋大学大学院工学科　非常勤講師
１９９５年４月〜１９９６年３月：信州大学理学部　非常勤講師
２００３年１月〜２００３年３月：東京工業大学資源化学研究所　非常勤講師
１９９９年４月〜２００６年９月：北陸先端科学技術大学院大学　材料科学科　客員教授

１９７７年から１９９４年にかけて高性能希土類合金、ボンド磁石、鋳造圧延磁石、等の開発に従事し、エネルギ−積において当時の世界最高記録を持つ高性能合金と希土類ボンド磁石の開発に成功（１９７９）。
１９９４年以降はマイクロ液体プロセスによる電子デバイスの創生、高性能Ｓｉ−ＴＦＴとフレキシブル・エレクトロニクスの開発に従事し、有機ＥＬデバイス（１９９９）、有機トランジスタ　（２０００）、シリコン薄膜トランジスタ（２００６）、フレキシブル多層配線基板等を開発。
また、ＴＦＴ回路をプラスティック基板上に形成する技術としてＳＵＦＬＡ（＊）プロセスを発明し（１９９９）、フレキシブルな液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、電気ディスプレイを開発、併せてＳＲＡＭ、指紋センサ、非同期ＣＰＵ（２００５）などの電子デバイスのプラスティック基板上への形成を実現。
ＳＵＦＬＡはフレキシブルエレクトロデバイス実現に向けての最先端で具体性ある技術として注目を集めている。

（＊）Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｆｒｅｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｂｙ　Ｌａｓｅｒ　Ａｂｌａｔｉｏｎ／Ａｎｎｅａｌｉｎｇ

１９９１年　５月：市村産業賞　受賞
１９９３年　５月：科学技術長官賞（全国発明表彰）　受賞
１９９４年　９月：日本応用磁気学会論文賞　受賞
２００３年　４月：日経ＢＰ技術賞エコロジ−部門賞　受賞
２００４年　８月：
Ａｓｉａ　Ｄｉｓｐｌａｙ04/ＩＭＩＤ'04、Ｂａｓｉｃ　ａｎｄ　Ｏｒｉｇｉｎａｌ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｐｒｉｚｅ、　Ｇｒａｎｄ　Ｐｒｉｚｅ　受賞
２００５年　７月：ＡＭ−ＬＣＤ２００４、Ｂｅｓｔ　Ｐａｐｅｒ　Ａｗａｒｄｓ　受賞
２００６年　４月：日経ＢＰ技術賞情報通信部門賞受賞
２００６年１１月：日本経済新聞社地球環境技術賞受賞