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革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス
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1期生 2期生 3期生

2008年度採択

片山 竜二 川山 巌 寒川 義裕 小林 航 須崎 友文 竹中 充
中岡 俊裕 浜屋 宏平 福村 知昭 水落 憲和  

ワイドギャップ半導体中の単一常磁性発光中心による量子情報素子

写真 水落 憲和
所属
大阪大学大学院基礎工学研究科物質創成専攻 准教授
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