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革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス
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1期生 2期生 3期生

2008年度採択

片山 竜二 川山 巌 寒川 義裕 小林 航 須崎 友文 竹中 充
中岡 俊裕 浜屋 宏平 福村 知昭 水落 憲和  

ワイドギャップ強磁性半導体デバイス

写真 福村 知昭
所属
東京大学理学系研究科化学専攻 准教授
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